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2014-06-04T12:24:11Z

Christian.Lay: /* Willkommen auf dem neuen IMT-WIKI */

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Category:F&E1-NM

2014-02-05T15:56:22Z

Christian.Lay:

Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich [[F&E1-NM|F&E1 - Nano and Microreplication]].

Auf dieser Seite werden nach und nach alle Mitarbeiter, Geräte, Projekte, Labore mit Zuordnung zum Funktionsbereich FuE3 aufgelistet.

== Mitarbeiter ==

* [[Benutzer:Heinz.Dinglreiter|Dinglreiter, Heinz]]
* [[Benutzer:Michael.Hartmann|Hartmann, Michael]]
* [[Benutzer:Alexander.Kolew|Kolew, Alexander]]
* [[Benutzer:Marc.Schneider|Schneider, Marc]]
* [[Benutzer:Norbert.Schneider|Schneider, Norbert]]
* [[Benutzer:Matthias.Worgull|Worgull, Matthias]]

== Geräte ==

=== Anlagen zur Mikrostrukturierung: ===

* [[R2R Comerio]]
* [[EVG 510 HE/UV]]
* [[HEX03]]
* [[Wickert WMP1000]]
* [[WUM1]]
* [[WUM2]]
* [[WUM3]]

=== Messgeräte ===

* [[Leica Aristomet Mikroskop MI0554]]
* [[Leitz 3 Mikroskop MI0015]]
* [[Leica INM20 Mikroskop MI0013]]
* ...

=== Sonstige ===

* [[Weber-Presse]]
* [[Waage 0570 Satorius]]
* [[Gechta Kniehebelpresse]]
* [[Höhentaster Sony]]
* [[Bügelmessschrauben]]
* [[Messschieber MS0066]]
* ...

== Projekte ==

* [[COTECH]]
* [[EUMINAfab]]
* [[KNMF]]

== Labore ==

* [[Halle 310, R154]]
* [[Reinraumzelt 1, Halle 307, R133]]
* [[Reinraumzelt 2, Halle 307, R133]]
* [[Wickert-Labor, Halle 301, Raum 107.7]]

[[Kategorie:Funktionsbereiche - Departments]]

Category:F&E1-NM

2014-02-05T15:55:40Z

Christian.Lay: Neues Organigramm

Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich [[F&E1-NM|F&E1 - Nano and Microreplication]].

'''[[FuE3|Zur Wiki-Präsenz des Funktionsbereichs FuE3 geht es hier.]]'''

Auf dieser Seite werden nach und nach alle Mitarbeiter, Geräte, Projekte, Labore mit Zuordnung zum Funktionsbereich FuE3 aufgelistet.

== Mitarbeiter ==

* [[Benutzer:Heinz.Dinglreiter|Dinglreiter, Heinz]]
* [[Benutzer:Michael.Hartmann|Hartmann, Michael]]
* [[Benutzer:Alexander.Kolew|Kolew, Alexander]]
* [[Benutzer:Marc.Schneider|Schneider, Marc]]
* [[Benutzer:Norbert.Schneider|Schneider, Norbert]]
* [[Benutzer:Matthias.Worgull|Worgull, Matthias]]

== Geräte ==

=== Anlagen zur Mikrostrukturierung: ===

* [[R2R Comerio]]
* [[EVG 510 HE/UV]]
* [[HEX03]]
* [[Wickert WMP1000]]
* [[WUM1]]
* [[WUM2]]
* [[WUM3]]

=== Messgeräte ===

* [[Leica Aristomet Mikroskop MI0554]]
* [[Leitz 3 Mikroskop MI0015]]
* [[Leica INM20 Mikroskop MI0013]]
* ...

=== Sonstige ===

* [[Weber-Presse]]
* [[Waage 0570 Satorius]]
* [[Gechta Kniehebelpresse]]
* [[Höhentaster Sony]]
* [[Bügelmessschrauben]]
* [[Messschieber MS0066]]
* ...

== Projekte ==

* [[COTECH]]
* [[EUMINAfab]]
* [[KNMF]]

== Labore ==

* [[Halle 310, R154]]
* [[Reinraumzelt 1, Halle 307, R133]]
* [[Reinraumzelt 2, Halle 307, R133]]
* [[Wickert-Labor, Halle 301, Raum 107.7]]

[[Kategorie:Funktionsbereiche - Departments]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)

2014-02-04T17:19:47Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/English | English Version]]


[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX

'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' A. Muslija, D. Häringer

'''Standort:''' Reinraum, genauerer Ort?

'''Prüfmittel-/Fertigungsmittelnummer:''' XXXX

'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX

== Kurzbeschreibung ==
Die Anlage verfügt über eine Kammer zum Reaktiven Ionen Ätzen (RIE), in der das Plasma auch induktiv eingekoppelt werden kann (ICP).
Eine weitere Kammer dient zum rein physischen Ätzen mittels Argonionen (RIBE), hier kann der Winkel des Substrats zum Ionenstrahl eingestellte werden.
[http://www.knmf.kit.edu/img/KNMF_Dry_Etching.pdf KMNF-Geräteinfo]

== Alternativen ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[RIE-Anlage, Plasmalab 80 Plus, Fa. Oxford ]]
*Oxfordanlage am CFN



== Spezifikationen des Geräts ==

*RIE
**SF6
**O2
**N2
**CHF3
**BCL3
**CL2
**Argon
**in Zukunft auch HBr (für flache Siliziumätzungen)
*RIBE
**Argon
**CL2

(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen

== Etablierte Prozesse ==
*Cryoprozess (Silizium(tief)ätzen) (Muslija)
* Titan
* Chrom
*Unterätzen von Siliziumopferschichten (Lay)
*Siliziumnitridätzen in der Entwicklung (Köhnle)
*Glasätzen in der Entwicklung (Häringer)
*... (Hr. Muslija oder Dr. Häringer fragen).



== Einschränkungen ==
*Bevor die Verwendung der RIE oder der RIBE Anlage in Betracht gezogen werden, sollte man sich mit dem zuständigen [[Benutzer:Alban.Muslija |Operateur]] beraten. Dies gilt insbesondere dann, wenn das zu ätzende Material nicht in der Liste der etablierten Prozesse aufgeführt ist.
*Die Wafer müssen frei von irgendwelchen adhesiven Stoffen sein, zumindest am Rand. Ansonsten besteht die Gefahr, dass der Wafer beim Ausschleusen am clamp ring der RIE hängen bleibt. Je nachdem wie der Wafer dann positioniert ist kann er auch brechen, sobald der Roboterarm dagegen fährt.
*Die RIBE Anlage ist wesentlich unempfindlicher gegen Verunreinigung mit Fremdstoffen als die RIE Anlage.
*Metalle (isb. Nickel) können die Funktion der RIE Kammer negativ beeinflussen. Wenn möglich sollte auf die RIBE ausgewichen werden.



== Eingewiesene Nutzer ==
Personen bitte immer mit [[Benutzer:Vorname.Nachname | Nachname, Vorname]] verknüpfen.

*[[Benutzer:Alban.Muslija | Muslija, Alban]]
*[[Benutzer:Daniel.Häringer| Häringer, Daniel]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]

[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel_-_Manufacturing_Equipment]]
[[Kategorie:KNMF]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)

2014-02-04T17:19:25Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/English | English Version]]


[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX

'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' A. Muslija, D. Häringer

'''Standort:''' Reinraum, genauerer Ort?

'''Prüfmittel-/Fertigungsmittelnummer:''' XXXX

'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX

== Kurzbeschreibung ==
Die Anlage verfügt über eine Kammer zum Reaktiven Ionen Ätzen (RIE), in der das Plasma auch induktiv eingekoppelt werden kann (ICP).
Eine weitere Kammer dient zum rein physischen Ätzen mittels Argonionen (RIBE), hier kann der Winkel des Substrats zum Ionenstrahl eingestellte werden.
[http://www.knmf.kit.edu/img/KNMF_Dry_Etching.pdf KMNF-Geräteinfo]

== Alternativen ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[RIE-Anlage, Plasmalab 80 Plus, Fa. Oxford ]]
*Oxfordanlage am CFN



== Spezifikationen des Geräts ==

*RIE
**SF6
**O2
**N2
**CHF3
**BCL3
**CL2
**Argon
**in Zukunft auch HBr (für flache Siliziumätzungen)
*RIBE
**Argon
**CL2

(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen

== Etablierte Prozesse ==
*Cryoprozess (Silizium(tief)ätzen) (Muslija)
* Titan
* Chrom
*Unterätzen von Siliziumopferschichten (Lay)
*Siliziumnitridätzen in der Entwicklung (Köhnle)
*Glasätzen in der Entwicklung (Häringer)
*... (Hr. Muslija oder Dr. Häringer fragen).



== Einschränkungen ==
Bevor die Verwendung der RIE oder der RIBE Anlage in Betracht gezogen werden, sollte man sich mit dem zuständigen [[Benutzer:Alban.Muslija |Operateur]] beraten. Dies gilt insbesondere dann, wenn das zu ätzende Material nicht in der Liste der etablierten Prozesse aufgeführt ist.
*Die Wafer müssen frei von irgendwelchen adhesiven Stoffen sein, zumindest am Rand. Ansonsten besteht die Gefahr, dass der Wafer beim Ausschleusen am clamp ring der RIE hängen bleibt. Je nachdem wie der Wafer dann positioniert ist kann er auch brechen, sobald der Roboterarm dagegen fährt.
*Die RIBE Anlage ist wesentlich unempfindlicher gegen Verunreinigung mit Fremdstoffen als die RIE Anlage.
*Metalle (isb. Nickel) können die Funktion der RIE Kammer negativ beeinflussen. Wenn möglich sollte auf die RIBE ausgewichen werden.



== Eingewiesene Nutzer ==
Personen bitte immer mit [[Benutzer:Vorname.Nachname | Nachname, Vorname]] verknüpfen.

*[[Benutzer:Alban.Muslija | Muslija, Alban]]
*[[Benutzer:Daniel.Häringer| Häringer, Daniel]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]

[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel_-_Manufacturing_Equipment]]
[[Kategorie:KNMF]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English

2014-02-04T17:10:49Z

Christian.Lay:

[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]
= RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100 =

The Oxford PlasmaLab 100 is used for structuring material by [[#Dry Etching Methods|dry etching]] processes.

Before considering RIE for a material not on the [[#List of Materials that have been structured successfully with the Oxford PlasmaLab 100|list]] below, please talk to the operators. Even if a process is generally feasible, contamination of the chamber walls can negatively influence standard processes (This is especially the case for nickel).

== Alternatives ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[Sentec RIE]]
*Oxford RIE at CFN

== Operators ==
* [[Benutzer:Alban.Muslija|Alban Muslija]]
* [[Benutzer:Daniel.Haeringer|Daniel Haeringer]]

== Operation Modes ==
* Reactive ion etching
** Sulfur hexafluoride (SF6)
** N2
** Argon
** Oxygen
** Chloride
** Fluoroform (CHF3)
** BCl3
** HBr
* Reactive ion beam etching
** Argon
** Cl2

The RIE chamber is equipped with a laser based endpoint detection.

== Established Processes ==
=== RIE ===
# Titanium
# Chrome
# Silicon, anisotropic profile (Cryo Process)
# Silicon, isotropic profile (Underetching of Si sacrificial layers)
# Silicon nitride
# Silicon oxide/glass

== Trained Users ==
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]

= Dry Etching Methods =

== Advantages of Dry Etching ==

Wet etching is an estalished method for microstructuring that provides fast results. However, if you want to have

* an anisotropic etch profile
* low mask undercut
* no trouble with stiction due to capillary forces
* high aspect ratio structures (esp. silicon),

then dry etching might be your method of choice. Of course, many materials can also be structured with isotropic profiles.

==Functioning Principles ==

=== Reactive Ion Beam Etching (R)IBE ===
[[Datei:RIBE.png|300px|thumb|right|Fig. 1: Schematic of a reactive ion beam etching chamber]]
Argon gas is let into the plasma chamber, where it is ionized. This can be done by accelerating electrons emitted from the cathode towards the anode, where they will start a collision chain reaction that ends with the loss of electrons of the argon atoms.

The extraction grid has a positive voltage applied in order to accelerate the argon ions towards the sample. Before they reach the sample, the neutralizer adds electrons to the ions which results in a beam which has neutral charge on average.

The accelerated ions/atoms attack the surface of the sample only with their kinetic force, no chemistry is involved. A chemical component can be added by letting additional gasses through valves in the sample holder. These will be ionized and accelerated by collisions with the argon atoms.

The sample stage can be tilted face down to an angle of 70°. Usually, the angle is 10-30°, and the sample plate rotates to prevent redeposition (see Fig. 2).

[[Datei:RIBE Etch Redeposition.png|300px|thumb|right|Fig. 2: Redeposition during RIBE. Substrate residue removed from the bottom of the etch profile is more likely to redeposit on the profile's sidewalls with an increase of the aspect ratio h/w ]]

==== Advantages and Disadvantages of RIBE ====
The main advantage of RIBE is that it can be used to structure virtually everything. The physical attack does not disciminate largely between materials, and the plasma chamber is separated from the etch chamber, thus preventing any contamination of the plasma with sample residue.

Disadvantages are low etch rates as well as low selectivity between the resist and the sample material. Because of the selectivity < 1 and redeposition, the maximum aspect ratio is 1:1.

=== Reactive Ion Etching ===

[[Datei:RIE ICP Chamber.png|300px|thumb|right|Fig. 3: Schematic of a reactive ion etching chamber]]

A mixture of reactive gasses is let into the chamber, where a plasma is created by applying an AC power source between the wafer stage and another plate. As this is essentially a capacitator, this setup creates a so called capacitive coupled plasma (CCP). The capacitive coupling also accelerates the ions away from and towards the wafer, permitting some of the ions to collide with it and therby etching the wafer material.

After a plasma has been ignited, an AC powered coil can be used to increase the amount of ionization by the method of induction. This is termed the inductive coupled plasma (ICP).

While CCP controls both the physical attack mode by accelerating atoms as well as the chemical attack mode by creating ions, the ICP provides a separate control parameter for ionization only. Together with the chamber pressure, which controls the mean free path of the ions, a fine control of physical and chemical contribution to the etch process is possible.

Additionally, the sample holder can be cooled with helium and liquid nitrogen for temperatures down to -150 °C, which allows the use of the silicon cryo process to create high aspect ratio structures.

==== The silicon cryo process ====

TBA

[[Category:English]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English

2014-02-04T17:09:41Z

Christian.Lay:

= RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100 =

[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

The Oxford PlasmaLab 100 is used for structuring material by [[#Dry Etching Methods|dry etching]] processes.

Before considering RIE for a material not on the [[#List of Materials that have been structured successfully with the Oxford PlasmaLab 100|list]] below, please talk to the operators. Even if a process is generally feasible, contamination of the chamber walls can negatively influence standard processes (This is especially the case for nickel).

== Alternatives ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[Sentec RIE]]
*Oxford RIE at CFN

== Operators ==
* [[Benutzer:Alban.Muslija|Alban Muslija]]
* [[Benutzer:Daniel.Haeringer|Daniel Haeringer]]

== Operation Modes ==
* Reactive ion etching
** Sulfur hexafluoride (SF6)
** N2
** Argon
** Oxygen
** Chloride
** Fluoroform (CHF3)
** BCl3
** HBr
* Reactive ion beam etching
** Argon
** Cl2

The RIE chamber is equipped with a laser based endpoint detection.

== Established Processes ==
=== RIE ===
# Titanium
# Chrome
# Silicon, anisotropic profile (Cryo Process)
# Silicon, isotropic profile (Underetching of Si sacrificial layers)
# Silicon nitride
# Silicon oxide/glass

== Trained Users ==
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]

= Dry Etching Methods =

== Advantages of Dry Etching ==

Wet etching is an estalished method for microstructuring that provides fast results. However, if you want to have

* an anisotropic etch profile
* low mask undercut
* no trouble with stiction due to capillary forces
* high aspect ratio structures (esp. silicon),

then dry etching might be your method of choice. Of course, many materials can also be structured with isotropic profiles.

==Functioning Principles ==

=== Reactive Ion Beam Etching (R)IBE ===
[[Datei:RIBE.png|300px|thumb|right|Fig. 1: Schematic of a reactive ion beam etching chamber]]
Argon gas is let into the plasma chamber, where it is ionized. This can be done by accelerating electrons emitted from the cathode towards the anode, where they will start a collision chain reaction that ends with the loss of electrons of the argon atoms.

The extraction grid has a positive voltage applied in order to accelerate the argon ions towards the sample. Before they reach the sample, the neutralizer adds electrons to the ions which results in a beam which has neutral charge on average.

The accelerated ions/atoms attack the surface of the sample only with their kinetic force, no chemistry is involved. A chemical component can be added by letting additional gasses through valves in the sample holder. These will be ionized and accelerated by collisions with the argon atoms.

The sample stage can be tilted face down to an angle of 70°. Usually, the angle is 10-30°, and the sample plate rotates to prevent redeposition (see Fig. 2).

[[Datei:RIBE Etch Redeposition.png|300px|thumb|right|Fig. 2: Redeposition during RIBE. Substrate residue removed from the bottom of the etch profile is more likely to redeposit on the profile's sidewalls with an increase of the aspect ratio h/w ]]

==== Advantages and Disadvantages of RIBE ====
The main advantage of RIBE is that it can be used to structure virtually everything. The physical attack does not disciminate largely between materials, and the plasma chamber is separated from the etch chamber, thus preventing any contamination of the plasma with sample residue.

Disadvantages are low etch rates as well as low selectivity between the resist and the sample material. Because of the selectivity < 1 and redeposition, the maximum aspect ratio is 1:1.

=== Reactive Ion Etching ===

[[Datei:RIE ICP Chamber.png|300px|thumb|right|Fig. 3: Schematic of a reactive ion etching chamber]]

A mixture of reactive gasses is let into the chamber, where a plasma is created by applying an AC power source between the wafer stage and another plate. As this is essentially a capacitator, this setup creates a so called capacitive coupled plasma (CCP). The capacitive coupling also accelerates the ions away from and towards the wafer, permitting some of the ions to collide with it and therby etching the wafer material.

After a plasma has been ignited, an AC powered coil can be used to increase the amount of ionization by the method of induction. This is termed the inductive coupled plasma (ICP).

While CCP controls both the physical attack mode by accelerating atoms as well as the chemical attack mode by creating ions, the ICP provides a separate control parameter for ionization only. Together with the chamber pressure, which controls the mean free path of the ions, a fine control of physical and chemical contribution to the etch process is possible.

Additionally, the sample holder can be cooled with helium and liquid nitrogen for temperatures down to -150 °C, which allows the use of the silicon cryo process to create high aspect ratio structures.

==== The silicon cryo process ====

TBA

[[Category:English]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)

2014-02-04T17:05:31Z

Christian.Lay: Änderungen von Christian.Lay (Diskussion) rückgängig gemacht und letzte Version von Kira.Koehnle wiederhergestellt

[[{{PAGENAME}}/English | English Version]]


[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX

'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' A. Muslija, D. Häringer

'''Standort:''' Reinraum, genauerer Ort?

'''Prüfmittel-/Fertigungsmittelnummer:''' XXXX

'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX

== Kurzbeschreibung ==
Kann ICP - Ätzen und RIE-Ätzen. Und die RIE-Stage kann gekippt werden. Dafür kann die ICP höhere Leistungen in der getrennten ICP-Stufe.
[http://www.knmf.kit.edu/img/KNMF_Dry_Etching.pdf KMNF-Geräteinfo]

== Alternativen ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[RIE-Anlage, Plasmalab 80 Plus, Fa. Oxford ]]
*Oxfordanlage am CFN

Gibt es andere Geräte, die gleiche oder ähnliche Funktion haben/Prozesse durchführen können? Bitte hier benennen und verlinken. Den korrekten Namen der Wiki-Seite des zu verlinkenden Geräts findet sich in der [[Prüfmittel_Liste_-_List_of_Measurement_Devices| Prüfmittel Liste]] oder der [[Liste der Fertigungsmittel - List of Manufacturing Equipment|Liste der Fertigungsmittel]].

== Spezifikationen des Geräts ==
*SF6
*O2
*N2
*CHF3
*BCL3
*CL2
*Argon
*in Zukunft auch HBr (für flache Siliziumätzungen)

(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen

== Etablierte Prozesse ==
*Cryoprozess (Silizium(tief)ätzen) (Muslija)
*Unterätzen von Silizium oder Siliziumdioxid (Lay)
*Siliziumnitridätzen in der Entwicklung (Köhnle)
*Glasätzen in der Entwicklung (Häringer)
*... (Hr. Muslija oder Dr. Häringer fragen).

Welche Prozesse wurden erfolgreich mit diesem Gerät durchgeführt, welche Materialien wurden mit dem Gerät strukturiert, geprüft, verarbeitet? Bitte keine Prozessparameter und sensible Details in die Wiki eintragen, stattdessen Hinweise, wo man diese finden oder erfragen kann (z.B. Pfad zu Dokument im J: Laufwerk).

== Einschränkungen ==
*Bei der RIE dürfen Metalle geätzt werden, bei der ICP nicht.
*Siliziumsubstrate sind erlaubt. Andere Substrate nur in Absprache mit der Gerätebetreuung.

Welche Prozesse lassen sich mit dem Gerät nicht durchführen oder würden die Funktion des Gerätes beeinträchtigen?

== Eingewiesene Nutzer ==
Personen bitte immer mit [[Benutzer:Vorname.Nachname | Nachname, Vorname]] verknüpfen.

*[[Benutzer:Alban.Muslija | Muslija, Alban]]
*[[Benutzer:Daniel.Häringer| Häringer, Daniel]]
*[[Benutzer:Lay.Christian | Lay, Christian ]]
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]

[[Kategorie:Geräte - Devices]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)

2014-02-04T17:05:13Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/English | English Version]]


[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX

'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' A. Muslija, D. Häringer

'''Standort:''' Reinraum, genauerer Ort?

'''Prüfmittel-/Fertigungsmittelnummer:''' XXXX

'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX

== Kurzbeschreibung ==
Die Anlage verfügt über eine Kammer zum Reaktiven Ionen Ätzen (RIE), in der das Plasma auch induktiv eingekoppelt werden kann (ICP).
Eine weitere Kammer dient zum rein physischen Ätzen mittels Argonionen (RIBE), hier kann der Winkel des Substrats zum Ionenstrahl eingestellte werden.
[http://www.knmf.kit.edu/img/KNMF_Dry_Etching.pdf KMNF-Geräteinfo]

== Alternativen ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[RIE-Anlage, Plasmalab 80 Plus, Fa. Oxford ]]
*Oxfordanlage am CFN



== Spezifikationen des Geräts ==

*RIE
**SF6
**O2
**N2
**CHF3
**BCL3
**CL2
**Argon
**in Zukunft auch HBr (für flache Siliziumätzungen)
*RIBE
**Argon
**CL2

(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen

== Etablierte Prozesse ==
*Cryoprozess (Silizium(tief)ätzen) (Muslija)
* Titan
* Chrom
*Unterätzen von Siliziumopferschichten (Lay)
*Siliziumnitridätzen in der Entwicklung (Köhnle)
*Glasätzen in der Entwicklung (Häringer)
*... (Hr. Muslija oder Dr. Häringer fragen).



== Einschränkungen ==
Bevor die Verwendung der RIE oder der RIBE Anlage in Betracht gezogen werden, sollte man sich mit dem zuständigen [[Benutzer:Alban.Muslija |Operateur]] beraten. Dies gilt insbesondere dann, wenn das zu ätzende Material nicht in der Liste der etablierten Prozesse aufgeführt ist.
*Die RIBE Anlage ist wesentlich unempfindlicher gegen Verunreinigung mit Fremdstoffen als die RIE Anlage.
*Metalle (isb. Nickel) können die Funktion der RIE Kammer negativ beeinflussen. Wenn möglich sollte auf die RIBE ausgewichen werden.



== Trained Users ==
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]

[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel_-_Manufacturing_Equipment]]
[[Kategorie:KNMF]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]

RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100/English

2014-02-04T16:56:16Z

Christian.Lay: hat „RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100/English“ nach „OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English“ verschoben: Doppelte Einträge zusammengeführt

#WEITERLEITUNG [[OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English

2014-02-04T16:56:16Z

Christian.Lay: hat „RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100/English“ nach „OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English“ verschoben: Doppelte Einträge zusammengeführt

= RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100 =

The Oxford PlasmaLab 100 is used for structuring material by [[#Dry Etching Methods|dry etching]] processes.

Before considering RIE for a material not on the [[#List of Materials that have been structured successfully with the Oxford PlasmaLab 100|list]] below, please talk to the operators. Even if a process is generally feasible, contamination of the chamber walls can negatively influence standard processes (This is especially the case for nickel).

== Alternatives ==

If you require only argon and/or oxygen as process gasses, please consider using the [[RIE80+]] device.

== Operators ==
* [[Benutzer:Muslija-A|Alban Muslija]]
* [[Benutzer:Haeringer-D|Daniel Haeringer]]

== Operation Modes ==
* Reactive ion etching
** Argon
** Oxygen
** Sulfur hexafluoride (SF6)
** Chloride
** Fluoroform (CHF3)
* Reactive ion beam etching
** Argon

= Dry Etching Methods =

== Advantages of Dry Etching ==

Wet etching is an estalished method for microstructuring that provides fast results. However, if you want to have

* an anisotropic etch profile
* low mask undercut
* no trouble with stiction due to capillary forces
* high aspect ratio structures (esp. silicon),

then dry etching might be your method of choice. Of course, many materials can also be structured with isotropic profiles.

==Functioning Principles ==

=== Reactive Ion Beam Etching (R)IBE ===
[[Datei:RIBE.png|300px|thumb|right|Fig. 1: Schematic of a reactive ion beam etching chamber]]
Argon gas is let into the plasma chamber, where it is ionized. This can be done by accelerating electrons emitted from the cathode towards the anode, where they will start a collision chain reaction that ends with the loss of electrons of the argon atoms.

The extraction grid has a positive voltage applied in order to accelerate the argon ions towards the sample. Before they reach the sample, the neutralizer adds electrons to the ions which results in a beam which has neutral charge on average.

The accelerated ions/atoms attack the surface of the sample only with their kinetic force, no chemistry is involved. A chemical component can be added by letting additional gasses through valves in the sample holder. These will be ionized and accelerated by collisions with the argon atoms.

The sample stage can be tilted face down to an angle of 70°. Usually, the angle is 10-30°, and the sample plate rotates to prevent redeposition (see Fig. 2).

[[Datei:RIBE Etch Redeposition.png|300px|thumb|right|Fig. 2: Redeposition during RIBE. Substrate residue removed from the bottom of the etch profile is more likely to redeposit on the profile's sidewalls with an increase of the aspect ratio h/w ]]

==== Advantages and Disadvantages of RIBE ====
The main advantage of RIBE is that it can be used to structure virtually everything. The physical attack does not disciminate largely between materials, and the plasma chamber is separated from the etch chamber, thus preventing any contamination of the plasma with sample residue.

Disadvantages are low etch rates as well as low selectivity between the resist and the sample material. Because of the selectivity < 1 and redeposition, the maximum aspect ratio is 1:1.

=== Reactive Ion Etching ===

[[Datei:RIE ICP Chamber.png|300px|thumb|right|Fig. 3: Schematic of a reactive ion etching chamber]]

A mixture of reactive gasses is let into the chamber, where a plasma is created by applying an AC power source between the wafer stage and another plate. As this is essentially a capacitator, this setup creates a so called capacitive coupled plasma (CCP). The capacitive coupling also accelerates the ions away from and towards the wafer, permitting some of the ions to collide with it and therby etching the wafer material.

After a plasma has been ignited, an AC powered coil can be used to increase the amount of ionization by the method of induction. This is termed the inductive coupled plasma (ICP).

While CCP controls both the physical attack mode by accelerating atoms as well as the chemical attack mode by creating ions, the ICP provides a separate control parameter for ionization only. Together with the chamber pressure, which controls the mean free path of the ions, a fine control of physical and chemical contribution to the etch process is possible.

Additionally, the sample holder can be cooled with helium and liquid nitrogen for temperatures down to -150 °C, which allows the use of the silicon cryo process to create high aspect ratio structures.

==== The silicon cryo process ====

TBA

== List of Materials that have been structured successfully with the Oxford PlasmaLab 100 ==
=== RIE ===
# Titanium
# Chrome
# Silicon, anisotropic profile
# Silicon, isotropic profile
# Silicon nitride
# Silicon oxide

[[Category:English]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)

2014-02-04T16:52:07Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/English | English Version]]


[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX

'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' A. Muslija, D. Häringer

'''Standort:''' Reinraum, genauerer Ort?

'''Prüfmittel-/Fertigungsmittelnummer:''' XXXX

'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX

== Kurzbeschreibung ==
Die Anlage verfügt über eine Kammer zum Reaktiven Ionen Ätzen (RIE), in der das Plasma auch induktiv eingekoppelt werden kann (ICP).
Eine weitere Kammer dient zum rein physischen Ätzen mittels Argonionen (RIBE), hier kann der Winkel des Substrats zum Ionenstrahl eingestellte werden.
[http://www.knmf.kit.edu/img/KNMF_Dry_Etching.pdf KMNF-Geräteinfo]

== Alternativen ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[RIE-Anlage, Plasmalab 80 Plus, Fa. Oxford ]]
*Oxfordanlage am CFN



== Spezifikationen des Geräts ==

*RIE
**SF6
**O2
**N2
**CHF3
**BCL3
**CL2
**Argon
**in Zukunft auch HBr (für flache Siliziumätzungen)
*RIBE
**Argon
**CL2

(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen

== Etablierte Prozesse ==
*Cryoprozess (Silizium(tief)ätzen) (Muslija)
* Titan
* Chrom
*Unterätzen von Siliziumopferschichten (Lay)
*Siliziumnitridätzen in der Entwicklung (Köhnle)
*Glasätzen in der Entwicklung (Häringer)
*... (Hr. Muslija oder Dr. Häringer fragen).



== Einschränkungen ==
Bevor die Verwendung der RIE oder der RIBE Anlage in Betracht gezogen werden, sollte man sich mit dem zuständigen [[Benutzer:Alban.Muslija |Operateur]] beraten. Dies gilt insbesondere dann, wenn das zu ätzende Material nicht in der Liste der etablierten Prozesse aufgeführt ist.
*Die RIBE Anlage ist wesentlich unempfindlicher gegen Verunreinigung mit Fremdstoffen als die RIE Anlage.
*Metalle (isb. Nickel) können die Funktion der RIE Kammer negativ beeinflussen. Wenn möglich sollte auf die RIBE ausgewichen werden.



== Eingewiesene Nutzer ==
Personen bitte immer mit [[Benutzer:Vorname.Nachname | Nachname, Vorname]] verknüpfen.

*[[Benutzer:Alban.Muslija | Muslija, Alban]]
*[[Benutzer:Daniel.Häringer| Häringer, Daniel]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]

[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel_-_Manufacturing_Equipment]]
[[Kategorie:KNMF]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]

User:Julian.Hartbaum

2014-02-04T16:19:18Z

Christian.Lay:

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Julian Hartbaum ==




'''Funktionsbereich''': FuE4

'''Aufgabengebiet''': magnetische Nanoaktoren, Plasmonischer Photodetektor

'''Raum''': B307 R336
'''Telefon''': 26823

'''e-mail''': Julian.Hartbaum@kit.edu

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===
* [[RIE/RIBE_Oxford_PlasmaLab_100 | RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100]]
* [[Kleindiek_Nanomanipulator | Kleindiek Nanomanipulator]]
* Plasmonisches Setup

=== Prozesse ===
* RIE: Silizium, Titan, Gold
* Nanopartikeldeposition
* [[Kleindiek Nanomanipulator]]: Kraftmessungen

=== Materialien ===
* Silizium
* Gold
* Titan
* PMMA


[[Kategorie:F&E1-SMD]]
[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

User:Hinnerk.Ossmer

2014-02-04T16:18:37Z

Christian.Lay:

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Hinnerk Oßmer ==


[[Datei:<Bilddatei>|rahmenlos|links|Text der Bild-Legende]]

'''Funktionsbereich''': F&E 4 - Smart Materials

'''Aufgabengebiet''': Elastokalorische Kühlung mit Formgedächtnislegierungen

'''Raum''': B.307, R.336

'''Telefon''': 6830 (Büro), 2749 (Labor)

'''e-mail''': hinnerk.ossmer@kit.edu

'''Stellvertreter''':

== Tätigkeitsbeschreibung ==

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===
Zwick Zugmaschine, DSC

=== Prozesse ===

=== Software ===

=== Materialien ===
NiTi, NiTi+X (Formgedächtnislegierungen)

== Weitere Aufgaben am IMT ==





[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]
[[Kategorie:Doktoranden - PhD Students]]

User:Franziska.Lambrecht

2014-02-04T16:17:45Z

Christian.Lay:

[[Datei:franzsika_lambrecht.jpg|thumb|500x250px|rechts|Franziska Lambrecht]]

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Franziska Lambrecht ==


'''Funktionsbereich''': F&E1-SMD

'''Aufgabengebiet''': Durchstimmbare Nanoschalter durch reversible Phasenumwandlung

'''Gebäude / Raum''': 301 / 402

'''Telefon''': 0721-608-22759

'''e-mail''': franziska.lambrecht@kit.edu

'''Stellvertreter''': [[Benutzer:Christian.Lay| Christian Lay]]

== Tätigkeitsbeschreibung ==
Herstellung und Untersuchung freistehender Teststrukturen mit Nanometerabmessungen um das Skalierungsverhalten physikalischer Kenngrößen bei abnehmender Baugröße zu untersuchen.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===
* [[RIE/RIBE_Oxford_PlasmaLab_100 | RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100]]
*[[CryoVac]]
*[[4W-CryoVac]]
*[[Sputter-Anlage]]

=== Prozesse ===

=== Software ===

=== Materialien ===
bi-NiTi, NiTi(Cu), NiMnGa

== [[Abkürzungen - Abbreviations|PVA]] für IMT-Projekte ==
* [[00-000P]]

== Weitere Aufgaben am IMT ==





[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]
[[Kategorie:Doktoranden - PhD Students]]

User:Christian.Lay

2014-02-04T16:15:10Z

Christian.Lay:

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Christian Lay ==




'''Funktionsbereich''': FuE1-SMD

'''Aufgabengebiet''': Entwicklung eines magnetischen Nanoaktor-Sensor-Systems

'''Raum''': B307 R229

'''Telefon''': 24684

'''e-mail''': c.lay@kit.edu

'''Stellvertreter''':

== Tätigkeitsbeschreibung ==
Herstellung und Charakterisierung von Bimorph Nanoaktoren aus Silizium und Formgedächtnislegierungen sowie Entwicklung eines integrierten Sensorkonzepts zur Auslenkungsdetektion.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===
* [[RIE/RIBE_Oxford_PlasmaLab_100 | RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100]]
* [[Rasterelektronenmikroskop_SUPRA_60_VP | Rasterelektronenmikroskop SUPRA 60 VP]]
* [[Kleindiek_Nanomanipulator | Kleindiek Nanomanipulator]]
* Westbond Wedge-Wedge Bonder
* [[Dimension_Icon_Rasterkraftmikroskop | Dimension Icon Rasterkraftmikroskop]]
* [[Scanning_Probe_Microscope_D3100S | Scanning Probe Microscope D3100S]]

=== Prozesse ===
* RIE: Silizium Cryo-Prozess
* RIE: Isotropes Unterätzen
* [[Kleindiek Nanomanipulator]]: Kraft+Widerstandsmessungen
* [[Dimension_Icon_Rasterkraftmikroskop | Dimension Icon Rasterkraftmikroskop]]: Magnetic Force Microscopy

=== Software ===
*Octave/Matlab
*Labview
* [[Bildbearbeitung - Image Processing | ImageJ]]

=== Materialien ===
* Silizium
* Titan
* NiMnGa Formgedächtnislegierung
* AZ1505 Photoresist
* AZ4533 Photoresist

== Weitere Aufgaben am IMT ==
* Wiki-Admin
* Verwaltung der Institutskamera





[[Kategorie:Doktoranden - PhD Students]]
[[Kategorie:F&E1-SMD]]
[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

Category:F&E1-SMD

2014-02-04T16:14:44Z

Christian.Lay:

Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich [[F&E1-SMD|F&E1 - Smart Materials and Devices]].

[[Kategorie:Funktionsbereiche - Departments]]

Category:F&E1-SMD

2014-02-04T16:14:30Z

Christian.Lay:

Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich [[F&E4|F&E1 - Smart Materials and Devices]].

[[Kategorie:Funktionsbereiche - Departments]]

Category:F&E1-SMD

2014-02-04T16:13:54Z

Christian.Lay: Die Seite wurde neu angelegt: „Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich F&E 4: Nanoaktoren und -sensoren. Kategorie:Funktionsbereiche - Departments“

Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich [[F&E4|F&E 4: Nanoaktoren und -sensoren]].

[[Kategorie:Funktionsbereiche - Departments]]

User:Christian.Lay

2014-02-04T15:22:51Z

Christian.Lay:

MediaWiki:Newarticletext

2014-02-04T10:46:17Z

Christian.Lay:

Du bist einem Link zu einer Seite gefolgt, die nicht vorhanden ist.
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Die Titel der Seiten sollen einheitlich nach dem Schema '''Deutscher_Titel - English_title''' angelegt sein. Falls der Titel deiner neuen Seite nicht dem entspricht, gebe in das Suchfeld den entsprechenden Titel ein und klicke dann auf '''Seite'''. Eine Ausnahme bilden Geräte-Seiten. Diese werden nach dem Namen der Anlage benannt, die meisten Geräte findet man in der [[Liste der Fertigungsmittel - List of Manufacturing Equipment]] oder [[Prüfmittel Liste - List of Measurement Devices]].

Wir wollen das Wiki langfristig zweisprachig halten, pflege daher bitte in der ersten Zeile der Seite folgenden Code ein:

<pre>
[[{{PAGENAME}}/english|English version]]
</pre>
Aber keine Sorge, du brauchst nicht gleich die englische Version verfassen, hier kann jeder mitarbeiten.

In der letzten Zeile der Seite sollte eine Kategorie stehen. Falls du dir nicht sicher bist wie die passende Kategorie heißt schaue im [[Kategorien/Categories|Kategoriebaum]] nach. ''Es sind auch mehrere Kategorien möglich!''
<pre>
[[Kategorie:Kategorie - Category]]
</pre>

Falls du Probleme hast, kannst du gerne [[Benutzer:Frieder.Koch|Frieder Koch]], [[Benutzer:Franziska.Lambrecht|Franziska Lambrecht]], [[Benutzer:Christian.Lay|Christian Lay]] oder [[Benutzer:Marcel.gueltig|Marcel Gültig]] kontaktieren!

F&E3-XOM

2014-02-04T10:32:41Z

Christian.Lay:

== Dies ist die Übersichtsseite für den Funktionsbereich F&E 1: Optik und Photonik ==

'''Leitung:''' [[Benutzer:Jürgen.Mohr|Dr. Jürgen Mohr]]

'''Stellvertreter:''' [[Benutzer:Arndt.Last|Dr. Arndt Last]]

Wir arbeiten an der Weiterentwicklung der Röntgentiefenlithographie, dem ersten Schritt des [http://www.x-ray-optics.de/index.php?option=com_content&view=article&id=84%3Aliga-process&catid=29%3Ax-ray-optics&lang=de LIGA-Verfahrens], im Hinblick auf die Herstellung von mikro- und nanoskaligen Strukturen mit großem Aspektverhältnis. Die Röntgenlithographieeinrichtungen werden im Rahmen der [[Karlsruhe Nano Micro Facility|KNMF]] betrieben und stehen damit auch externen Nutzern zur Verfügung, um Mikrostrukturen mit höchster Qualität herzustellen.

Wir entwickeln im Anwendungsfeld Mikrooptik neuartige mikrooptische Systeme auf Polymerbasis für die Sensorik und die Datenkommunikation. Dabei verfolgen wir einerseits ein hybrides Konzept um modulare Systeme aufzubauen; andererseits entwickeln wir integriert mikrooptische Wellenleitersysteme auf der Basis photostrukturierbarer Polymere, die in der Datenkommunikation oder in sensorischen Komponenten ihre Anwendung finden.

Die Arbeiten gliedern sich in die folgenden Themengebiete:

* Röntgenlithographie
* Photonische Systeme
* [[Röntgenoptik - X-ray Optics]]
** [[Röntgenlinsen - X-ray Lenses|Röntgenlinsen]]
** [[Röntgengitter - X-ray Gratings|Röntgengitter]]
* [[Elektrochemische Verfahren]]
* Formeinsätze

Wir beteiligen uns an der [[Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP)|Karlsruher Schule für Optik und Photonic (KSOP)]], der ersten Graduiertenschule am KIT.

Wir sind Partner im europäischen Access Centre [[ACTMOST]] mit Experten aus 14 europäischen High-Tech-Forschungseinrichtungen das europäischen Unternehmen Photonik-Knowhow und -Infrastruktur zur Lösung ihrer innovativen Produktideen zur Verfügung stellt. Wir sind außerdem Partner im [[Photonics for Life (P4L)]], einem europäischen Netzwerk in dem europaweit die Aktivitäten zur Biophotonik gebündelt werden.

In diesem Forschungsgebiet arbeiten derzeit ca. 25 Mitarbeiter. Damit sind wir in der Lage komplexe Forschungs- und Entwicklungsfragen in den oben genannten Themengebieten kompetent und umfassend zu bearbeiten.

== Mitarbeiter ==

=== Postdocs ===
*[[Benutzer:Klaus.Bade|Bade, Klaus]]
*[[Benutzer:Uwe.Hollenbach|Hollenbach, Uwe]]
*[[Benutzer:Danays.Kunka|Kunka, Danays]]
*[[Benutzer:Arndt.Last|Last, Arndt]]
*[[Benutzer:Pascal.Meyer|Meyer, Pascal]]

=== Doktoranden ===
*[[Benutzer:Felix.Marschall|Marschall, Felix]]
*[[Benutzer:Jan.Meiser|Meiser, Jan]]
*[[Benutzer:Harald.Vogt|Vogt, Harald]]
*[[Benutzer:Michel.Kluge|Kluge, Michel]]
*[[Benutzer:Frieder.Koch|Koch, Frieder]]

=== Techniker ===
* [[Benutzer:Daniel.Muench| Münch, Daniel]]
* [[Benutzer:Alexandra.Karbacher|Karbacher, Alexandra]]
* [[Benutzer:Julia.Wolf|Wolf, Julia]]

[[Category:Funktionsbereiche - Departments]]
[[Kategorie:F&E3-XOM]]

F&E1

2014-02-04T10:32:08Z

Christian.Lay: hat „F&E1“ nach „F&E3-XOM“ verschoben: Neues Organigramm

#WEITERLEITUNG [[F&E3-XOM]]

F&E3-XOM

2014-02-04T10:32:08Z

Christian.Lay: hat „F&E1“ nach „F&E3-XOM“ verschoben: Neues Organigramm

Main Page

2014-02-04T10:06:47Z

Christian.Lay: /* Willkommen auf dem neuen IMT-WIKI */

[[Hauptseite/english | English version]]

== Willkommen auf dem neuen IMT-WIKI ==

'''Achtung!''' Du musst dich [[Special:Userlogin| anmelden]], damit du außer dieser Hauptseite irgend etwas lesen kannst! Falls du noch keinen Account für dieses Wiki hast, dann beantrage ihn bitte per E-Mail beim IT-Administrator.

Um einen Überblick über die Inhalte zu bekommen ist der '''[[Kategorien - Categories|Kategoriebaum]]''' nützlich.

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Für die Erstellung der eigenen Personenseite oder einer Geräteseite gibt es jeweils eine Anleitung:
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* [[Tutorial Neue Geräteseite | Anleitung Neue Geräteseite]]
* [[Tutorial Projektseite | Anleitung Neue Projektseite]]
* weitere Ideen für Vorlagen oder Anleitungen? Legt welche an und verlinkt sie in dieser Liste.

Hier findet man eine Übersicht zur [[Wiki-Syntax]]. Für Vorschläge, Fragen und Hilfe stehen die vier Doktoranden [[Benutzer:Franziska.Lambrecht|Franziska Lambrecht]], [[Benutzer:Christian.Lay|Christian Lay]], [[Benutzer:Frieder.Koch|Frieder Koch]] und [[Benutzer:Marcel.Gueltig|Marcel Gültig]] zur Verfügung.

'''Man kann sich zum Ausprobieren auf der [[Sandkasten - Sandbox | Sandkasten]] Seite austoben.'''

[[{{PAGENAME}}/ToDo|ToDo-Liste]]

SRM Einkauf "Freitextbestellung"

2013-10-23T09:55:26Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/english|English version]]

== SRM Einkauf "Freitextbestellung" ==

=== Anmeldung im SAP Netweaver Portal ===
Das ist die zentrale Anmeldung für das SAP und SRM System:
Login auf das SAP-Portal: https://sapwp01.orbitsap.kit.edu:9060/irj/portal
[[Benutzer:Sonja.Haag|Frau Haag]] beantragt für berechtige Kollegen und Kolleginnen die Zugangsdaten für das SRM.

[[Datei: SRM_Anleitung_Freitext1.PNG]]

=== Start des Einkaufens ===
In der Menüleiste "Einkaufen" auswählen

[[Datei: SRM_Anleitung_Freitext2.PNG|600px]]

=== Ein-Schritt Einkaufen ===
Um die „Ein-Schritt Einkaufen“-Funktion zu nutzen wählen sie unter „Einkaufswagen“ -> „Ein-Schritt-Einkaufen“

[[Datei: SRM_Anleitung_Freitext3.PNG|600px]]

* Wählen sie in der folgenden Ansicht "Einkaufswagen anlegen"

[[Datei:SRM_Anleitung_Freitext4.PNG|600px]]

{{Vorlage:Important_Box| Beim ersten Einkauf müssen unter „Werte setzen“ die Einstellungen überprüft werden. [[Datei:SRM_Anleitung_Freitext5.PNG|500px]]}}

* [Optional]: Geben sie dem Einkaufswagen einen Namen
** Für jede zu bestellende Position:
** Klicken Sie auf „Pos. hinzufügen“ -> „Mit Freitextbestellung“

[[Datei:SRM_Anleitung_Freitext6.PNG|400px]]

* Geben Sie im folgenden Fenster für den zu bestellenden Gegenstand
** eine Beschreibung
** wenn notwendig einen Lieferantentext [Optional]
** wenn notwendig eine Interne Notiz [Optional]
** die Produktkategorie
** Menge
** Nettopreis
:ein.

* Wählen Sie bitte ein realistisches Lieferdatum (dient dem Einkauf als Richtwert für Nachfragen beim Lieferanten)
[[Datei:SRM_Anleitung_Freitext7.PNG|400px]]

* Klicken Sie bitte auf „Zu Positionsübersicht hinzufügen“ um den Gegenstand der Bestellung hinzuzufügen

* In der erscheinenden Übersicht fügen Sie unter …
** … „Notizen und Anlagen“ ein Angebot hinzu [[Datei:SRM_Anleitung_Freitext8.PNG|400px]] Hierzu auf „Anlage hinzufügen“ und im folgenden Fenster die hochzuladende Datei auswählen
** … „Bezugsquellen und Leistungserbringer“ den Lieferanten auswählen [[Datei:SRM_Anleitung_Freitext9.PNG|400px]] Hierzu auf das kleine Symbol neben dem Feld „Bevorzugter Lieferant“ klicken. Es erscheint das folgende Fenster, dass es ermöglicht nach dem Lieferanten zu suchen.
{{Vorlage:Important_Box| Ganz unten bei “weitere Suchhilfen” muss “Lieferant” stehen NICHT “Lieferantenliste”}}
[[Datei:SRM_Anleitung_Freitext10.PNG|400px]]
* Suchmöglichkeiten:
** Unter „Suchbegriff 1“ der Name der Firma gefolgt von einem Sternchen Bsp.: „IBM*“
** Unter „Postleitzahl“ die Postleitzahl der Firma angeben
* Zum Suchen auf „Start search“ klicken.
* Wenn der Lieferant NICHT in der Liste zu finden ist:
** kann man bei Nina Giraud fragen ob der Lieferant doch schon angelegt ist. Ansonsten in '''"Interne Notiz"''' den Wunschlieferanten bzw. den Lieferanten eintragen von dem man den Preis hat.

*Falls mehrere Positionen vom SELBEN Lieferanten bestellt werden sollen, wird das Angebot an die erste Position angehängt. Es genügt auch die Notiz in die erste Position zu schreiben.

=== Abschluss des Einkaufs ===

Der Einkaufswagen kann wenn alle Positionen eingetragen sind bestellt werden.
* Zum Bestellen auf „Bestellen“ klicken
* Das Fenster in dem die Bestellung getätigt wurde schließen.
* Um die für die Genehmigung benötigte Papieransicht des Einkaufswagens zu bekommen zurück ins SAP Portal und dort auf '''Aktualisieren''' klicken.
Nun sollte der soeben erstelle Einkaufwagen in der ersten Zeile erscheinen.
* Die Zeile durch anklicken in dem grauen Feld am Zeilenanfang markieren.
* Nun auf „Druck Status“ klicken. Das erzeugt einen HTML file der in einem Browser geöffnet wird, dort dann ausdrucken und dem zuständigen FBL zur Genehmigung vorlegen. Das unterschriebene Dokument + Angebot dann bei Nina Giraud abgeben.
[[Datei:SRM70 druck.JPG]]
* Um den Einkaufswagen später weiter zu bearbeiten auf „Sichern“ klicken.
{{Vorlage:Important_Box| Für jede bestellte Position muss eine entsprechende Spezifikationsnummer vorhanden sein. Diese bitte per Hand auf dem ausgedruckten Einkaufswagen eintragen. Eine Übersicht welche Spezifikation für das Bestellte Objekt zutrifft findet man unter „J:\iso9001\QW\QM-DOK\_Spezifikationen (SP)“. Falls KEINE passende Spezifikation vorhanden ist muss eine neue Spezifikationsnummer bei Herrn Feit beantragt werden und die Spezifikation mit allen relevanten Daten selbst ausgefüllt werden.}}

[[Category:SAP&SRM-System|SAP&SRM-System]]

Dienstreise - Business trip/english

2013-10-23T09:53:07Z

Christian.Lay: Details ergänzt

==Get Request form==
Header of request form:

"Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Dienstreiseplanung und Genehmigung"

Available at secretariat (e.g. Ms. Schmolka, Ms. Seither, Ms. Nowotny)

==Fill out request form==
; Pers.-Nr : Personalnummer (found on your KIT card)
; Name, Vorname: e.g. Prof. Uli Lemmer
; Anschrift: Address, can be left empty
; E-Mail: e.g. uli.lemmer@kit.edu
; Org-Einheit: IMT
; Kostenstelle: can be left empty (in most cases 5370)
; Fonds: can be left empty
; Diensttelefon: Phone number of your office phone e.g. 42530
; Bankverbindung: banking account can be left empty if your contract is with Campus North/Großforschungsbereich. If you have a contract at Campus South/University, you have to fill in your account information to get a refund of your expenses.
; Dienstlicher Anreisetag/Rückreisetag: date of arrival/departure - if for example you have a meeting at 9 am in Berlin,

put the day before as "Dienstlicher Anreisetag"
; Reiseziel: destination
; Beginn der Dienstgeschäfte: beginning of business activities
; Begründung: reason, e.g. Workship Oxford Instruments / DFG conference / group meeting Uni Heidelberg
; Projekt/Auftrag/Kostenträger/(EU-)Vertragsnummer: Ask Mr Moritz! Number must be in format AA.1111.2222.3333

=== Paragraph "Reiseplanung" - trip planning===
* If you cross nothing, it will be assumed that you take public transport and get the tickets and hotel reservations etc yourself
* It is generally to be recommended to let the Tickets be bought by the travel agency, as you do not have to advance the money
* You can extend your trip by up to 5 private days without further justification. Maybe a conference in London?

====Apply for train tickets====
# Cross the chekbox "Bahntickets gewünscht?", your application will be forwarded to the travel agency
# It is best to choose the connection yourself
#* There is a electronic form provided by PSE for ticket request [http://www.pse.kit.edu/dienstreise/dienstreise.php]
#* You can also go to the office yourself (next to the canteen) or give them a call
# From 2h travel duration on you can go first class (does not apply to flight tickets...)

====Flight tickets====
* to be added
# If you check this box, the travel agency will send you some recommended flights.
# If you want to extend your stay make sure to tell the travel agency. You will recieve recommended flight information for your business stay as well as your extended stay. Make sure to compare the pricing information, you might be charged the difference if your flight for the extended stay is more expensive than the one for your business trip only.

====Apply for a company car====
* You need a KIT driver's licence. To get it, you need an application signed by IL and a normal driver's licence.
* Cross the checkbox "Dienst-PKW", add justification (e.g. "we are four people and have to carry heavy equipment to Freiburg")
* Start "Fahrdienstauftrag" in the SAP-System. "Kosten": Null (0) Euro.
* Check, if the car division "Fahrdienst" got your order. (z.B Gerd Nagel: gerd.nagel@kit.edu, -25110). They are not the youngest, so calling them might be a better idea.

====Booking hotels====
Do not book a hotel if you are not sure that you will get reimbursed!
* You can book hotels from the "BUND" list [http://www.pse.kit.edu/1075.php hotel lists by PSE]
* Hotels cheaper than 60 €/night are accepted without explanation
* Conference hotel, can also be booked if more expensive, in accordance with Mr Moritz
* You can also request hotel reservation from the travel agency (cross checkbox "Hotelreservierung gewünscht")

====Advancement====

If you need an advancement, e.g. for participation fees, cross the checkbox "Vorschuss erwünscht" and state the amount you need. Be sure to attach a document (printed email is sufficient) stating the amount and the purpose, e.g. request for payment from conference administration.

===Hand in application===

Once your application is completed and signed (traveller & FBL), hand in to Mr Moritz or Mr Roth. It will be forwarded to PSE (Natascha Siemoneit) and the travel agency, if you requested train tickets or hotel reservations. You will get it back for settlement.

==Settlement of expenses==
# Make copies of everything. You never know what is going to disappear...
# Fill in second part of form "Abrechnung"
#* If you bought tickets for public transport on site, state it under "Nebenkosten" and attach the tickets glued to a sheet of paper
# Send to Mr Moritz or Mr Roth.
# Wait. Check back if you don't receive reimbursement, but it can take a while.

[[Kategorie:English]]

IMT MA-Telefonliste - IMT Phone Directory Employees

2013-09-26T14:29:39Z

Christian.Lay: Der Seiteninhalt wurde durch einen anderen Text ersetzt: „ Die aktuelle Telefonliste…“

Die aktuelle Telefonliste findet man hier:

J:\Public\IMT-Telefonliste.pdf
[[Kategorie:IMT_Intern]]
[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]
[[Kategorie:Listen - Lists]]

User:Franziska.Lambrecht

2013-07-23T07:44:11Z

Christian.Lay: Kategorien hinzugefügt

[[Datei:franzsika_lambrecht.jpg|thumb|500x250px|rechts|Franziska Lambrecht]]

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Franziska Lambrecht ==


'''Funktionsbereich''': F&E4 - Nanoaktoren und -sensoren

'''Aufgabengebiet''': Durchstimmbare Nanoschalter durch reversible Phasenumwandlung

'''Gebäude / Raum''': 301 / 402

'''Telefon''': 0721-608-22759

'''e-mail''': franziska.lambrecht@kit.edu

'''Stellvertreter''': [[Benutzer:Christian.Lay| Christian Lay]]

== Tätigkeitsbeschreibung ==
Herstellung und Untersuchung freistehender Teststrukturen mit Nanometerabmessungen um das Skalierungsverhalten physikalischer Kenngrößen bei abnehmender Baugröße zu untersuchen.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===

=== Prozesse ===

=== Software ===

=== Materialien ===

== [[Abkürzungen - Abbreviations|PVA]] für IMT-Projekte ==
* [[00-000P]]

== Weitere Aufgaben am IMT ==





[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]
[[Kategorie:F&E4]]
[[Kategorie:Doktoranden - PhD Students]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)

2013-07-10T13:23:10Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/English | English Version]]


[[Datei:OxfordCluster_Anlage_small.png‎|500px|thumb|right|Plasmaätzanlage]]

'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX

'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' A. Muslija, D. Häringer

'''Standort:''' Reinraum, genauerer Ort?

'''Prüfmittel-/Fertigungsmittelnummer:''' XXXX

'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX

== Kurzbeschreibung ==
Die Anlage verfügt über eine Kammer zum Reaktiven Ionen Ätzen (RIE), in der das Plasma auch induktiv eingekoppelt werden kann (ICP).
Eine weitere Kammer dient zum rein physischen Ätzen mittels Argonionen (RIBE), hier kann der Winkel des Substrats zum Ionenstrahl eingestellte werden.
[http://www.knmf.kit.edu/img/KNMF_Dry_Etching.pdf KMNF-Geräteinfo]

== Alternativen ==
*[[4-TEC Plasmaätzer]]
*[[RIE-Anlage, Plasmalab 80 Plus, Fa. Oxford ]]
*Oxfordanlage am CFN



== Spezifikationen des Geräts ==

*RIE
**SF6
**O2
**N2
**CHF3
**BCL3
**CL2
**Argon
**in Zukunft auch HBr (für flache Siliziumätzungen)
*RIBE
**Argon
**CL2

(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen

== Etablierte Prozesse ==
*Cryoprozess (Silizium(tief)ätzen) (Muslija)
* Titan
* Chrom
*Unterätzen von Siliziumopferschichten (Lay)
*Siliziumnitridätzen in der Entwicklung (Köhnle)
*Glasätzen in der Entwicklung (Häringer)
*... (Hr. Muslija oder Dr. Häringer fragen).



== Einschränkungen ==
Bevor die Verwendung der RIE oder der RIBE Anlage in Betracht gezogen werden, sollte man sich mit dem zuständigen [[Benutzer:Alban.Muslija |Operateur]] beraten. Dies gilt insbesondere dann, wenn das zu ätzende Material nicht in der Liste der etablierten Prozesse aufgeführt ist.
*Die RIBE Anlage ist wesentlich unempfindlicher gegen Verunreinigung mit Fremdstoffen als die RIE Anlage.
*Metalle (isb. Nickel) können die Funktion der RIE Kammer negativ beeinflussen. Wenn möglich sollte auf die RIBE ausgewichen werden.



== Eingewiesene Nutzer ==
Personen bitte immer mit [[Benutzer:Vorname.Nachname | Nachname, Vorname]] verknüpfen.

*[[Benutzer:Alban.Muslija | Muslija, Alban]]
*[[Benutzer:Daniel.Häringer| Häringer, Daniel]]
*[[Benutzer:Christian.Lay | Lay, Christian ]]
*[[Benutzer:Julian.Hartbaum | Hartbaum , Julian]]
*[[Benutzer:Kira.Koehnle| Köhnle, Kira]]

[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel_-_Manufacturing_Equipment]]
[[Kategorie:KNMF]]
[[Kategorie:F&E4]]

Bildbearbeitung - Image Processing

2013-06-26T10:16:55Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/english|English version]]

== Free Image Library ==
Der Zugriff auf Bilddateien ist manchmal nur mit Hersteller-Tools möglich. Eine Möglichkeit dies zu Umgehen um zum Beispiel eine Batch-Verarbeitung vieler Bilder zu ermöglichen ist die [http://freeimage.sourceforge.net/ Free Image Library]. Sie bietet eine sehr große Auswahl von Codecs für alle möglichen Bildformate (inklusive *.raw Dateien in diversen Ausführungen)

Auf der Webseite gibt es auch diverse Wrapper für C++ oder C#. Auch eine Menge Beispielprojekte sind vorhanden.

== ImageJ ==

[http://rsbweb.nih.gov/ij/ ImageJ] ist eine Software zur Bildauswertung im wissenschaftlichen Bereich. Grundlegende Funktionen sind z.B. das Plotten von Grauwert oder Farbprofilen entlang einer beliebig wählbaren Achse. Dazu enthält das Programm verschiedenste Plugins z.B. zum Partikelzählen, dem Auswerten von Gelen bei der Gelelektrophorese und eine Vielzahl von Filtern. Diese Operationen können sowohl an Einzelbildern sowie an ganzen Bildstacks durchgeführt werden. Alle Funktionen lassen sich auch in selbst geschriebenen Macros aufrufen. Des weiteren gibt es viele Plugins und Macros die von Nutzern geschrieben wurden zum Nachinstallieren.

Das Programm ist in Java geschrieben und ist damit betriebssystemunabhängig und kann ohne Admin-Rechte auf jedem Rechner ausgeführt werden.

[[Kategorie:Software]]

Bildbearbeitung - Image Processing

2013-06-26T10:16:22Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/english|English version]]

== Free Image Library ==
Der Zugriff auf Bilddateien ist manchmal nur mit Hersteller-Tools möglich. Eine Möglichkeit dies zu Umgehen um zum Beispiel eine Batch-Verarbeitung vieler Bilder zu ermöglichen ist die [http://freeimage.sourceforge.net/ Free Image Library]. Sie bietet eine sehr große Auswahl von Codecs für alle möglichen Bildformate (inklusive *.raw Dateien in diversen Ausführungen)

Auf der Webseite gibt es auch diverse Wrapper für C++ oder C#. Auch eine Menge Beispielprojekte sind vorhanden.

== ImageJ ==

[http://rsbweb.nih.gov/ij/ ImageJ] ist eine Software zur Bildauswertung im wissenschaftlichen Bereich. Grundlegende Funktionen sind z.B. das plotten von Grauwert oder Farbprofilen entlang einer beliebig wählbaren Achse. Dazu enthält das Programm verschiedenste Plugins z.B. zum Partikelzählen, dem Auswerten von Gelen bei der Gelelektrophorese und eine Vielzahl von Filtern. Diese Operationen können sowohl an Einzelbildern sowie an ganzen Bildstacks durchgeführt werden. Alle Funktionen lassen sich auch in selbst geschriebenen Macros aufrufen. Des weiteren gibt es viele Plugins und Macros die von Nutzern geschrieben wurden zum Nachinstallieren.

Das Programm ist in Java geschrieben und ist damit betriebssystemunabhängig und kann ohne Admin-Rechte auf jedem Rechner ausgeführt werden.

[[Kategorie:Software]]

Bildbearbeitung - Image Processing

2013-06-26T10:16:04Z

Christian.Lay:

[[{{PAGENAME}}/english|English version]]

== Free Image Library ==
Der Zugriff auf Bilddateien ist manchmal nur mit Hersteller-Tools möglich. Eine Möglichkeit dies zu Umgehen um zum Beispiel eine Batch-Verarbeitung vieler Bilder zu ermöglichen ist die [http://freeimage.sourceforge.net/ Free Image Library]. Sie bietet eine sehr große Auswahl von Codecs für alle möglichen Bildformate (inklusive *.raw Dateien in diversen Ausführungen)

Auf der Webseite gibt es auch diverse Wrapper für C++ oder C#. Auch eine Menge Beispielprojekte sind vorhanden.

== ImageJ ==

[http://rsbweb.nih.gov/ij/ ImageJ] ist eine Software zur Bildauswertung im wissenschaftlichen Bereich. Grundlegende Funktionen sind z.B. das plotten von Grauwert oder Farbprofilen entlang einer beliebig wählbaren Achse. Dazu enthält das Programm verschiedenste Plugins z.B. zum Partikelzählen, dem Auswerten von Gelen bei der Gelelektrophorese und eine Vielzahl von Filtern. Diese Operationen können sowohl an Einzelbildern sowie an ganzen Bildstacks durchgeführt werden. Alle Funktionen lassen sich auch in selbst geschriebenen Macros aufrufen. Des weiteren gibt es viele Plugins und Macros die von Nutzern geschrieben wurden zum Nachinstallieren.

Das Programm ist in Java geschrieben und ist damit Betriebssystemunabhängig und kann ohne Admin-Rechte auf jedem Rechner ausgeführt werden.

[[Kategorie:Software]]

Bildbearbeitung - Image Processing

2013-06-26T10:15:49Z

Christian.Lay: ImageJ Beschreibung hinzugefügt

[[{{PAGENAME}}/english|English version]]

== Free Image Library ==
Der Zugriff auf Bilddateien ist manchmal nur mit Hersteller-Tools möglich. Eine Möglichkeit dies zu Umgehen um zum Beispiel eine Batch-Verarbeitung vieler Bilder zu ermöglichen ist die [http://freeimage.sourceforge.net/ Free Image Library]. Sie bietet eine sehr große Auswahl von Codecs für alle möglichen Bildformate (inklusive *.raw Dateien in diversen Ausführungen)

Auf der Webseite gibt es auch diverse Wrapper für C++ oder C#. Auch eine Menge Beispielprojekte sind vorhanden.

== ImageJ ==

[http://rsbweb.nih.gov/ij/ ImageJ] ist eine Software zur Bildauswertung im wissenschaftlichen Bereich. Grundlegende Funktionen sind z.B. das plotten von Grauwert oder Farbprofilen entlang einer beliebig wählbaren Achse. Dazu enthält das Programm verschiedenste Plugins z.B. zum Partikelzählen, dem Auswerten von Gelen bei der Gelelektrophorese und eine Vielzahl von Filtern. Diese Operationen können sowohl an Einzelbildern sowie an ganzen Bildstacks durchgeführt werden. Alle Funktionen lassen sich auch in selbst geschriebenen Macros aufrufen. Des weiteren gibt es viele Plugins und Macros die von Nutzern geschrieben wurden zum Nachinstallieren.

Das Programm ist in Java geschrieben und ist damit Betriebssystemunabhängig und kann ohne Admin-Rechte auf jedem Rechner ausgeführt werden.

== Gimp ==

[[Kategorie:Software]]

User:Christian.Lay

2013-06-26T10:07:34Z

Christian.Lay: /* Software */

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Christian Lay ==




'''Funktionsbereich''': FuE4 - Nanoaktorik und Sensorik

'''Aufgabengebiet''': Entwicklung eines magnetischen Nanoaktor-Sensor-Systems

'''Raum''': B307 R229

'''Telefon''': 24684

'''e-mail''': c.lay@kit.edu

'''Stellvertreter''':

== Tätigkeitsbeschreibung ==
Herstellung und Charakterisierung von Bimorph Nanoaktoren aus Silizium und Formgedächtnislegierungen sowie Entwicklung eines integrierten Sensorkonzepts zur Auslenkungsdetektion.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===
* [[RIE/RIBE_Oxford_PlasmaLab_100 | RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100]]
* [[Rasterelektronenmikroskop_SUPRA_60_VP | Rasterelektronenmikroskop SUPRA 60 VP]]
* [[Kleindiek_Nanomanipulator | Kleindiek Nanomanipulator]]
* Westbond Wedge-Wedge Bonder
* [[Dimension_Icon_Rasterkraftmikroskop | Dimension Icon Rasterkraftmikroskop]]
* [[Scanning_Probe_Microscope_D3100S | Scanning Probe Microscope D3100S]]

=== Prozesse ===
* RIE: Silizium Cryo-Prozess
* RIE: Isotropes Unterätzen
* [[Kleindiek Nanomanipulator]]: Kraft+Widerstandsmessungen
* [[Dimension_Icon_Rasterkraftmikroskop | Dimension Icon Rasterkraftmikroskop]]: Magnetic Force Microscopy

=== Software ===
*Octave/Matlab
*Labview
* [[Bildbearbeitung - Image Processing | ImageJ]]

=== Materialien ===
* Silizium
* Titan
* NiMnGa Formgedächtnislegierung
* AZ1505 Photoresist
* AZ4533 Photoresist

== Weitere Aufgaben am IMT ==
* Wiki-Admin
* Verwaltung der Institutskamera





[[Kategorie:Doktoranden - PhD Students]]
[[Kategorie:F&E4]]
[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

Abfallentsorgung

2013-06-20T13:21:08Z

Christian.Lay: Kategorien hinzugefügt

== Normale Abfälle ==

Normaler Abfall wie z.B. Papier, Restmüll oder auch Biomüll (Bananenschale) können, wenn es sich um kleine Mengen handelt in den Abfallbehältern wie sie in jedem Büro zu finden sind entsorgt werden. Bei größeren Mengen sollte man die Abfallbehälter im Innenhof des IMTs benutzen.

[[Datei:Abfallentsorgung.JPG|<Gewünschte Breite in Pixeln>|thumb|right|Abfallentsorgung im Innenhof des IMTs]]

Im Abfall Depot vor 301 finden Sie all die Behältnisse, die für die normale Entsorgung vorgesehen sind[1].

== Sondermüll (Batterien..) ==

Speziellere Abfälle sind im Abstellraum Gebäude 308 Raum 308.6. Diese sind Styropor Chips(Styropor-Formteile Abfall Depot oben), alte Datenträger, leere Druckerpatronen, Flachglas und Alt-Batterien.
Wegbeschreibung: von Bau 301 kommend am Abfall Depot vorbei, Fußweg links, letzter Abstellraum 308.6 [1]

Die Entsorgung von Chemikalien und sonstigen Sondermaterialen erfolgt ausschließlich über Matthias Gramlich. [1]

== Chemieabfälle ==

Bitte beachten Sie das Infoblatt Chemieabfälle.

[1] Müll Fibel IMT; Matthias Gramlich; 2013 per Mail

[[Kategorie:Anleitungen - Instructions]]
[[Kategorie:Allgemeines]]

User:Franziska.Lambrecht

2013-06-12T13:53:03Z

Christian.Lay: Text zum Link auf meine Nutzerseite ergänzt

[[Datei:franzsika_lambrecht.jpg|thumb|500x250px|rechts|Franziska Lambrecht]]

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Franziska Lambrecht ==


'''Funktionsbereich''': F&E4 - Nanoaktoren und -sensoren

'''Aufgabengebiet''': Durchstimmbare Nanoschalter durch reversible Phasenumwandlung

'''Gebäude / Raum''': 301 / 402

'''Telefon''': 0721-608-22759

'''e-mail''': franziska.lambrecht@kit.edu

'''Stellvertreter''': [[Benutzer:Christian.Lay| Christian Lay]]

== Tätigkeitsbeschreibung ==
Herstellung und Untersuchung freistehender Teststrukturen mit Nanometerabmessungen um das Skalierungsverhalten physikalischer Kenngrößen bei abnehmender Baugröße zu untersuchen.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===

=== Prozesse ===

=== Software ===

=== Materialien ===

== [[Abkürzungen - Abbreviations|PVA]] für IMT-Projekte ==
* [[00-000P]]

== Weitere Aufgaben am IMT ==





[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

User:Christian.Lay

2013-06-06T12:22:46Z

Christian.Lay:

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Christian Lay ==




'''Fachbereich''': FuE4 - Nanoaktorik und Sensorik

'''Aufgabengebiet''': Entwicklung eines magnetischen Nanoaktor-Sensor-Systems

'''Raum''': B307 R229

'''Telefon''': 24684

'''e-mail''': c.lay@kit.edu

'''Stellvertreter''':

== Tätigkeitsbeschreibung ==
Herstellung und Charakterisierung von Bimorph Nanoaktoren aus Silizium und Formgedächtnislegierungen sowie Entwicklung eines integrierten Sensorkonzepts zur Auslenkungsdetektion.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===
* [[RIE/RIBE_Oxford_PlasmaLab_100 | RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100]]
* [[Rasterelektronenmikroskop_SUPRA_60_VP | Rasterelektronenmikroskop SUPRA 60 VP]]
* [[Kleindiek_Nanomanipulator | Kleindiek Nanomanipulator]]
* Westbond Wedge-Wedge Bonder
* [[Dimension_Icon_Rasterkraftmikroskop | Dimension Icon Rasterkraftmikroskop]]
* [[Scanning_Probe_Microscope_D3100S | Scanning Probe Microscope D3100S]]

=== Prozesse ===
* RIE: Silizium Cryo-Prozess
* RIE: Isotropes Unterätzen
* [[Kleindiek Nanomanipulator]]: Kraft+Widerstandsmessungen
* [[Dimension_Icon_Rasterkraftmikroskop | Dimension Icon Rasterkraftmikroskop]]: Magnetic Force Microscopy

=== Software ===
*Octave/Matlab
*Labview

=== Materialien ===
* Silizium
* Titan
* NiMnGa Formgedächtnislegierung
* AZ1505 Photoresist
* AZ4533 Photoresist

== Weitere Aufgaben am IMT ==
* Wiki-Admin
* Verwaltung der Institutskamera





[[Kategorie:Doktoranden - PhD Students]]
[[Kategorie:FuE4]]
[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

User:Stefan.Hengsbach

2013-05-13T14:20:22Z

Christian.Lay:

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Vorname Nachname ==

[[Datei:Stefan.jpg|rahmenlos|links|Text der Bild-Legende]]

'''Fachbereich''': MF

'''Aufgabengebiet''':

'''Raum''': 260

'''Telefon''': 24441

'''e-mail''': stefan.hengsbach@kit.edu

'''Stellvertreter''':

== Tätigkeitsbeschreibung ==

Ich bin am IMT der Ansprechpartner für die laserlithographien Anlagen, sprich den Laserschreiber und die Nanoscribe-Anlage. Das bedeutet, dass ich Sie bei Fragen zu der Anlage (die Funktionsweise, was ist machbar, was wurde schon gemacht usw.) beraten und bei der Herstellung Ihrer Proben unterstützen kann.
Darüberhinaus bearbeite ich auch Projekte, die besagten Anlagen betreffend, die von externen Partnern kommen, also aus dem KIT oder über die KNMF.

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

Ich habe u.A. eine Ausbildung zum Elektroniker/Elektriker( ja, beides) gemacht und vieles von dem Wissen ist noch nicht verloren gegangen.

=== Geräte ===

* Nanoscribe PhotonicProfessional
* [[Laser-Lithographie-Anlage | Heidelberg Instruments DWL66fs ]]

=== Prozesse im Reinraum===
prinzipel kenne ich alles Prozesse die vor oder nach der Prozessierung in meinen Anlagen kommen, allerdings macht es in den meisten Fällen mehr Sinn wenn die Prozesse von den Leuten durchgeführt werden die sich damit besser auskennen und vor allem die Erfahrung haben!

Aber wenn es sein muss (und wo ich eingewiesen bin):
O2 Plasma (4Tek, Oxford80), O2+CL4 Plasma (R3T), spincoaten (Priumus), Entwicklungen (Su-8 & Az-Lacke)

=== Software ===
Matlab, SolidWorks (bzw. CAD allgemein), C++, LabView, Layouteditor

== [[Abkürzungen - Abbreviations|PVA]] für IMT-Projekte ==
* [[13-066P-00B Additive nanomanufacture of 3D auxetic metamaterials]]







[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

User:Stefan.Hengsbach

2013-05-08T16:52:40Z

Christian.Lay: Liste repariert

Einweisung von Fremdfirmen

2013-05-08T16:51:50Z

Christian.Lay:

[[Einweisung_von_Fremdfirmen/English | English Version]]

Laut einer Email von Herrn Dinglreiter vom 08.05.2013 gibt es neue Richtlinien zur Sicherheitsunterweisung von Fremdpersonal:

Werden auf einem Betriebsgelände oder in einem Gebäude Arbeiten durch Fremdpersonal durchgeführt, hat der Auftraggeber:

sicherzustellen, dass die Arbeitsstätte so errichtet, betrieben und unterhalten wird, dass der Auftragnehmer gefahrlos seine Tätigkeit ausüben kann.
den Auftragnehmer in den Einsatzort (z. B. Gebäude einschließlich Anlagen, Maschinen, Flucht- und Rettungswege) einzuweisen, d. h. ihn mit seinem neuen Arbeitsumfeld vertraut zu machen und auf Besonderheiten und möglichen Gefahren, die mit seiner Tätigkeit im Unternehmen verbunden sein können, hinzuweisen.
dem Auftragnehmer schriftlich aufzugeben, die vor Ort geltenden Unfallverhütungsvorschriften sowie die anerkannten sicherheitstechnischen und arbeitsmedizinischen Regeln einzuhalten.

== Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal (Word-Version) ==

Zur Erfüllung der betrieblichen Aufgaben beim Einsatz von Fremdfirmen (Verkehrssicherungspflicht) wurde von der Rechtsabteilung in Zusammenarbeit mit dem TID und der KSM-TBG ein "Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal" entworfen.

Dieses [https://kiss.ksm.kit.edu/idc/groups/public/@kissr1-58-61-49-105-177-/documents/kiss_document/kiss_000809.pdf Formblatt finden Sie im KIT – Informations – System – Sicherheit (KISS)] oder Sie nennen mir Firma, Namen des Monteurs, Bau, und Datum, dann werde ich das Einweisungsformblatt ausfüllen. '''Wichtig ist, wenn Sie den/die Fremdfirmenmitarbeiter selbst einweisen, dass Sie das unterschriebene Einweisungsprotokoll aufbewahren'''. Im Fall eines Unfalls mit Personenschaden werden Sie zuallererst nach der Einweisungsformalität gefragt.

Einweisung von Fremdfirmen/English

2013-05-08T16:50:02Z

Christian.Lay: Die Seite wurde neu angelegt: „= New guideline concerning safety instruction of employees from outside companies = If employees from outside companies are hired to perform tasks at the IMT / K…“

= New guideline concerning safety instruction of employees from outside companies =

If employees from outside companies are hired to perform tasks at the IMT / KIT North, their client has to:

* make sure that their workplace is properly prepared and maintained so that they can perform their task safely
* brief them about their workplace (building including facilities, devices and escape routes) and familiarize them with peculiarities and possible dangers that may be relevant to their task.
* ask them to fill out a form in which they agree to uphold the rules for the prevention of accidents, work security and occupational health.

== Record for the briefing of employees from outside companies ==

The KIT law department, together with the TID and the KSM-TBG has designed a "Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal" (Record for the briefing of employees from outside companies) which you can find [https://kiss.ksm.kit.edu/idc/groups/public/@kissr1-58-61-49-105-177-/documents/kiss_document/kiss_000809.pdf here]

Alternatively, you can inform [[Benutzer:Heinz.Dinglreiter|Mr. Dinglreiter]] of the company name, the name of their employee, the building in which he will work and the date when he will arrive, and [[Benutzer:Heinz.Dinglreiter|Mr. Dinglreiter]] will fill out the record for you.

'''If you brief the outside employee yourself, it is important that you keep the record'''. In the case of an accident whith physical injuries you will be required to testify about the formalities of the outside employees instruction.

Einweisung von Fremdfirmen

2013-05-08T13:08:29Z

Christian.Lay:

[[Einweisung_von_Fremdfirmen/English | English Version]]

Laut einer Email von Herrn Dinglreiter vom 08.05.2013 gibt es neue Richtlinien zur Sicherheitsunterweisung von Fremdpersonal:

Werden auf einem Betriebsgelände oder in einem Gebäude Arbeiten durch Fremdpersonal durchgeführt, hat der Auftraggeber:

sicherzustellen, dass die Arbeitsstätte so errichtet, betrieben und unterhalten wird, dass der Auftragnehmer gefahrlos seine Tätigkeit ausüben kann.
den Auftragnehmer in den Einsatzort (z. B. Gebäude einschließlich Anlagen, Maschinen, Flucht- und Rettungswege) einzuweisen, d. h. ihn mit seinem neuen Arbeitsumfeld vertraut zu machen und auf Besonderheiten und möglichen Gefahren, die mit seiner Tätigkeit im Unternehmen verbunden sein können, hinzuweisen.
dem Auftragnehmer schriftlich aufzugeben, die vor Ort geltenden Unfallverhütungsvorschriften sowie die anerkannten sicherheitstechnischen und arbeitsmedizinischen Regeln einzuhalten.

== Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal (Word-Version) ==

Zur Erfüllung der betrieblichen Aufgaben beim Einsatz von Fremdfirmen (Verkehrssicherungspflicht) wurde von der Rechtsabteilung in Zusammenarbeit mit dem TID und der KSM-TBG ein "Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal" entworfen.

Dieses [https://kiss.ksm.kit.edu/idc/groups/public/@kissr1-58-61-49-105-177-/documents/kiss_document/kiss_000809.pdf Formblatt finden Sie im KIT – Informations – System – Sicherheit (KISS)] oder Sie nennen mir Firma, Namen des Monteurs, Bau, und Datum, dann werde ich das Einweisungsformblatt ausfüllen. '''Wichtig ist, wenn Sie die Fremdfirma selbst einweisen, dass Sie das unterschriebene Einweisungsprotokoll aufbewahren'''. Im Fall eines Unfalls mit Personenschaden werden Sie zuallererst nach der Einweisungsformalität gefragt.

Einweisung von Fremdfirmen

2013-05-08T13:08:16Z

Christian.Lay: Die Seite wurde neu angelegt: „ English Version Laut einer Email von Herrn Dinglreiter vom 08.05.2013 gibt es neue Richtlinien zur Sicherheitsunterweisu…“

[[Einweisung_von_Fremdfirmen/English | English Version]]

Laut einer Email von Herrn Dinglreiter vom 08.05.2013 gibt es neue Richtlinien zur Sicherheitsunterweisung von Fremdpersonal:

Werden auf einem Betriebsgelände oder in einem Gebäude Arbeiten durch Fremdpersonal durchgeführt, hat der Auftraggeber:

sicherzustellen, dass die Arbeitsstätte so errichtet, betrieben und unterhalten wird, dass der Auftragnehmer gefahrlos seine Tätigkeit ausüben kann.
den Auftragnehmer in den Einsatzort (z. B. Gebäude einschließlich Anlagen, Maschinen, Flucht- und Rettungswege) einzuweisen, d. h. ihn mit seinem neuen Arbeitsumfeld vertraut zu machen und auf Besonderheiten und möglichen Gefahren, die mit seiner Tätigkeit im Unternehmen verbunden sein können, hinzuweisen.
dem Auftragnehmer schriftlich aufzugeben, die vor Ort geltenden Unfallverhütungsvorschriften sowie die anerkannten sicherheitstechnischen und arbeitsmedizinischen Regeln einzuhalten.

== Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal (Word-Version) ==

Zur Erfüllung der betrieblichen Aufgaben beim Einsatz von Fremdfirmen (Verkehrssicherungspflicht) wurde von der Rechtsabteilung in Zusammenarbeit mit dem TID und der KSM-TBG ein "Protokoll über die Einweisung von Fremdfirmenpersonal" entworfen.

Dieses [https://kiss.ksm.kit.edu/idc/groups/public/@kissr1-58-61-49-105-177-/documents/kiss_document/kiss_000809.pdf Formblatt finden Sie im KIT – Informations – System – Sicherheit (KISS)] oder Sie nennen mir Firma, Namen des Monteurs, Bau, und Datum, dann werde ich das Einweisungsformblatt ausfüllen. '''Wichtig ist, wenn Sie die Fremdfirma selbst einweisen, dass Sie das unterschriebene Einweisungsprotokoll aufbewahren'''. Im Fall eines Unfalls mit Personenschaden werden Sie zuallererst nach der Einweisungsformalität gefragt.

[[Kategorie:IMT-Info]]

User:Stefan.Hengsbach

2013-05-07T15:14:03Z

Christian.Lay: Die Seite wurde neu angelegt: „{{ers:Mitarbeiter}}“

[[Benutzer:{{PAGENAME}}/English|English Version]]

== Vorname Nachname ==


[[Datei:<Bilddatei>|rahmenlos|links|Text der Bild-Legende]]

'''Fachbereich''':

'''Aufgabengebiet''':

'''Raum''':

'''Telefon''':

'''e-mail''':

'''Stellvertreter''':

== Tätigkeitsbeschreibung ==

== Fertigkeiten/Kenntnisse ==

=== Geräte ===

=== Prozesse ===

=== Software ===

=== Materialien ===

== [[Abkürzungen - Abbreviations|PVA]] für IMT-Projekte ==
* [[00-000P]]

== Weitere Aufgaben am IMT ==





[[Kategorie:Mitarbeiter - Employees]]

Main Page

2013-05-06T16:23:29Z

Christian.Lay:

[[Hauptseite/english | English version]]

== Willkommen auf dem neuen IMT-WIKI ==

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Für die Erstellung der eigenen Personenseite oder einer Geräteseite gibt es jeweils eine Anleitung:
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* [[Tutorial Neue Geräteseite | Anleitung Neue Geräteseite]]
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Hier findet man eine Übersicht zur [[Wiki-Syntax]]. Für Vorschläge, Fragen und Hilfe stehen die vier Doktoranden [[Benutzer:Harald.Vogt|Harald Vogt]], [[Benutzer:Christian.Lay|Christian Lay]], [[Benutzer:Jan.Meiser|Jan Meiser]] und [[Benutzer:Marcel.gueltig|Marcel Gültig]] zur Verfügung.

[[{{PAGENAME}}/ToDo|ToDo-Liste]]

VISTEC VB6

2013-05-03T14:31:38Z

Christian.Lay:

RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100

2013-05-03T14:30:28Z

Christian.Lay:

[[RIE/RIBE Oxford PlasmaLab 100/English| English Version]]

Diese Seite existiert zur Zeit nur in der englischen Version.

[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel_-_Manufacturing_Equipment]]
[[Kategorie:KNMF]]
[[Kategorie:FuE4]]

OPT - Trockenätzanlage (RIE/ICP, RIBE)/English

2013-05-03T14:28:19Z

Christian.Lay:

Tutorial Projektseite/English

2013-05-03T14:20:30Z

Christian.Lay: Kategorie "English" hinzugefügt

This tutorial explains step by step how to create a new Project page.

== Step 1: Create a Project Page ==
# Put in your Project Number as follows in the search field (on the left side underneath the IMT logo) and click on '''Page''':
<pre>
00-000P
</pre>
# Click in the following window on '''create page'''.

== Step 2: Paste Template Text ==
# Copy the following line and paste it in the textbox of your page:
<pre>
{{ers:Projekte}}
</pre>
# Click '''Save page'''

== Step 3: Create English Page ==
# Click on the link '''English Version'''
# Copy the following line and paste it in the textbox of your English page:
<pre>
{{ers:Projekte/English}}
</pre>
# Click on '''Save page'''

[[Category:English]]
== Step 4: Filling informations ==
In the text you can now fill in all necessary information.

To format text (bold, italic, title, ...) mark the word and click on the symbol above the text field.

'''Link to persons'''. Copy & Paste the following line and replace ''Prename'' and ''Surname''.
<pre>
[[Benutzer:Prename.Surname|Surname, Prename]]
</pre>

You can find several other hints on how to format your text on the [[Wiki-Syntax]] page.

== Step 5: Save your page ==
Click on '''Save page'''

You're done!