Resist - Revision history

WikiSysop at 18:10, 19 November 2016

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	=== Ansprechpartner ===		=== Ansprechpartner ===
	* [[~~Benutzer~~:Heike.Fornasier\|Heike Fornasier]]		* [[User:Heike.Fornasier\|Heike Fornasier]]
	* [[~~Benutzer~~:Alexandra.Karbacher\|Alexandra Karbacher]]		* [[User:Alexandra.Karbacher\|Alexandra Karbacher]]

	=== Alternativen ===		=== Alternativen ===

WikiSysop at 17:10, 19 November 2016

2016-11-19T17:10:45Z

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	==Links==		==Links==
	* [[:~~Kategorie~~:Positivresist - positive resist\|Positivresist]]		* [[:Category:Positivresist - positive resist\|Positivresist]]
	* [[:~~Kategorie~~:Negativresist - negative resist\|Negativresist]]		* [[:Category:Negativresist - negative resist\|Negativresist]]

	[[~~Kategorie~~:Materialien - Materials]]		[[Category:Materialien - Materials]]

Jan.Meiser at 13:48, 5 March 2014

2014-03-05T13:48:29Z

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 [[{{PAGENAME}}/English|English Version]]
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 === Geräte ===
 === Prozesse ===
 === Ansprechpartner ===
 === Alternativen ===
 [[Kategorie:Materialien - Materials]]

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			<!-- Hier kann ein Bild stehen, wenn sinnvoll[[Datei:Platzhalter.jpg\|thumb\|500x250px\|rechts\|Material]]-->
⚫	[[{{PAGENAME}}/~~english~~\|English ~~version~~]]

	Als '''Resist''' (auch: '''Fotolack''') wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des [[LIGA]]-Verfahrens.

	Resiste werden nach ihrer Reaktion auf die Belichtung in zwei Gruppen eingeteilt:
	*Positivresist
	*Negativresist

	=Positivresist=
	Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die '''belichteten''' Bereiche herausgelöst.

		⚫	[[{{PAGENAME}}/English\|English Version]]
	Einer der verbreitetsten Positivresiste ist [[PMMA]].

	=Negativresist=
	Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die '''unbelichteten''' Bereiche herausgelöst.

			<!-- Tabelle mit für das jeweilige Material sinnvollen wichtigen Parametern füllen
	Einer der verbreitetsten Negativresist ist [[SU-8]].
			{\| border="1" align="right" style="background-color:#ffffcc;"
			!Eigenschaft
			!Wert
			\|-
			\|Dichte
			\|70 kg/l
			\|-
			\|Bauschkraft
			\|900 cuin
			\|-
			\|Landé-Faktor
			\|42
			\|}
			-->

			== Hier Materialnamen einsetzen ==
⚫	[[Kategorie:~~Herstellung~~ - ~~Fabrication~~]]
			<!--
			Falls ein Bild angezeigt werden soll, muss die entsprechende Datei erst

			hochgeladen werden.
			Dies ermöglicht die Seitenleiste "werkzeuge -> Datei hochladen".
			Bitte achtet auf Datei- und Bildgröße, ideal wäre <100kB und z.B. 120×160px
			-->

			- Kurze Beschreibung, z.B. Photoresist, Formgedächtnispolymer/legierung, Lösungsmittel ...

			- Besonderheiten


			== Eigenschaften ==

			- z.B. Chemische Zusammensetzung, wie liegt es üblicherweise vor, evtl. Preis, kurz- alles was euch sinnvoll und wichtig erscheint, auch mit Unterüberschriften

			=== Gefahreneinstufung ===

			== Am IMT ==

			=== Verfügbarkeit ===

			=== Geräte ===


			=== Prozesse ===


			=== Ansprechpartner ===

			=== Alternativen ===
			<!-- z.B. Geräteveratwortlicher etc. falls nicht zutreffend, bitte

			Überschrift entfernen -->

			<!-- Optionale Einträge wie Veröffentlichungen und Vorträge andere

			Wunschthemen -->

			<!-- Weitere Kategorien: FuEX, -->
		⚫	[[Kategorie:Materialien - Materials]]

Jan.Meiser: Die Seite wurde neu angelegt: „English version Als '''Resist''' (auch: '''Fotolack''') wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithogr…“

2014-03-05T12:39:57Z

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[[{{PAGENAME}}/english|English version]]

Als '''Resist''' (auch: '''Fotolack''') wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des [[LIGA]]-Verfahrens.

Resiste werden nach ihrer Reaktion auf die Belichtung in zwei Gruppen eingeteilt:
*Positivresist
*Negativresist

=Positivresist=
Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die '''belichteten''' Bereiche herausgelöst.

Einer der verbreitetsten Positivresiste ist [[PMMA]].

=Negativresist=
Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die '''unbelichteten''' Bereiche herausgelöst.

Einer der verbreitetsten Negativresist ist [[SU-8]].

[[Kategorie:Herstellung - Fabrication]]