Sputteranlage UNIVEX 500: Difference between revisions
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== Kurzbeschreibung == |
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Die Anlage dient zum Kohlenstoff(C) - sputtern für Trennschichten. |
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Prozessgas: Argon |
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== Alternativen == |
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Gibt es andere Geräte, die gleiche oder ähnliche Funktion haben/Prozesse durchführen können? Bitte hier benennen und verlinken. Den korrekten Namen der Wiki-Seite des zu verlinkenden Geräts findet sich in der [[Prüfmittel_Liste_-_List_of_Measurement_Devices| Prüfmittel Liste]] oder der [[Liste der Fertigungsmittel - List of Manufacturing Equipment|Liste der Fertigungsmittel]]. |
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Zum Belüften der Vakumanlage dient Stickstoff. |
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(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen |
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== Etablierte Prozesse == |
== Etablierte Prozesse == |
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* 4" Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) mit ca. 50 nm Kohlenstoff (C) beschichten. |
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Welche Prozesse wurden erfolgreich mit diesem Gerät durchgeführt, welche Materialien wurden mit dem Gerät strukturiert, geprüft, verarbeitet? Bitte keine Prozessparameter und sensible Details in die Wiki eintragen, stattdessen Hinweise, wo man diese finden oder erfragen kann (z.B. Pfad zu Dokument im J: Laufwerk). |
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* Glasobjektträger mit ca. 100 nm Kohlenstoff (C) beschichten. |
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== Einschränkungen == |
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Welche Prozesse lassen sich mit dem Gerät nicht durchführen oder würden die Funktion des Gerätes beeinträchtigen? |
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== Eingewiesene Nutzer == |
== Eingewiesene Nutzer == |
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[[User:Uwe.Koehler | Köhler, Uwe]] |
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Personen bitte immer mit [[Benutzer:Vorname.Nachname | Nachname, Vorname]] verknüpfen. |
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[[User:Birgit.Huebner | Hübner, Birgit]] |
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[[Category:Geräte - Devices]] |
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[[Category:Fertigungsmittel - Manufacturing Equipment]] |
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Latest revision as of 18:19, 19 November 2016
Gerätebezeichnung: Sputteranlage UNIVEX 500
Geräteverantwortliche/Operateure: Uwe Köhler, Birgit Hübner
Standort: Bau 309, Raum 137
Prüfmittel/Fertigungsnummer: SA 0818
Spezifikations-Nummer: SP-XXXX
Kurzbeschreibung
Die Anlage dient zum Kohlenstoff(C) - sputtern für Trennschichten.
Spezifikationen des Geräts
Prozessgas: Argon
Zum Belüften der Vakumanlage dient Stickstoff.
Etablierte Prozesse
- 4" Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) mit ca. 50 nm Kohlenstoff (C) beschichten.
- Glasobjektträger mit ca. 100 nm Kohlenstoff (C) beschichten.