Sputteranlage UNIVEX 500: Difference between revisions

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'''Gerätebezeichnung:''' XXXXXXXX
'''Gerätebezeichnung:''' Sputteranlage UNIVEX 500


'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' XXXX
'''Geräteverantwortliche/Operateure:''' Uwe Köhler/ Birgit Hübner


'''Standort:''' XXXX
'''Standort:''' Bau 309, Raum


'''Prüfmittel/Fertigungsnummer:''' XXXX
'''Prüfmittel/Fertigungsnummer:''' SA 0818


'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX
'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX
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== Kurzbeschreibung ==
== Kurzbeschreibung ==
Die Anlage dient zum Kohlenstoff(C) - sputtern für Trennschichten.



== Alternativen ==
== Alternativen ==
Gibt es andere Geräte, die gleiche oder ähnliche Funktion haben/Prozesse durchführen können? Bitte hier benennen und verlinken. Den korrekten Namen der Wiki-Seite des zu verlinkenden Geräts findet sich in der [[Prüfmittel_Liste_-_List_of_Measurement_Devices| Prüfmittel Liste]] oder der [[Liste der Fertigungsmittel - List of Manufacturing Equipment|Liste der Fertigungsmittel]].


== Spezifikationen des Geräts ==
== Spezifikationen des Geräts ==
Prozessgas: Argon
(Zusätzliche) Ausstattung und Funktionen, z.B. Prozessgase, Wellenlängen, Auflösung, Strukturdimensionen
Belüftung der Vakumanlage mittels Stickstoff


== Etablierte Prozesse ==
== Etablierte Prozesse ==
Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) werden mit ca. 50nm Kohlenstoff (C) beschichtet.
Welche Prozesse wurden erfolgreich mit diesem Gerät durchgeführt, welche Materialien wurden mit dem Gerät strukturiert, geprüft, verarbeitet? Bitte keine Prozessparameter und sensible Details in die Wiki eintragen, stattdessen Hinweise, wo man diese finden oder erfragen kann (z.B. Pfad zu Dokument im J: Laufwerk).



== Einschränkungen ==
== Einschränkungen ==

Revision as of 11:06, 17 July 2013

English Version

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Gerätebezeichnung: Sputteranlage UNIVEX 500

Geräteverantwortliche/Operateure: Uwe Köhler/ Birgit Hübner

Standort: Bau 309, Raum

Prüfmittel/Fertigungsnummer: SA 0818

Spezifikations-Nummer: SP-XXXX


Kurzbeschreibung

Die Anlage dient zum Kohlenstoff(C) - sputtern für Trennschichten.

Alternativen

Spezifikationen des Geräts

Prozessgas: Argon Belüftung der Vakumanlage mittels Stickstoff

Etablierte Prozesse

Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) werden mit ca. 50nm Kohlenstoff (C) beschichtet.


Einschränkungen

Welche Prozesse lassen sich mit dem Gerät nicht durchführen oder würden die Funktion des Gerätes beeinträchtigen?

Eingewiesene Nutzer

Personen bitte immer mit Nachname, Vorname verknüpfen.


Kategorie:Geräte - Devices Kategorie:Fertigungsmittel - Manufacturing Equipment