Sputteranlage UNIVEX 500: Difference between revisions
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== Etablierte Prozesse == |
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* Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) mit ca. 50 nm Kohlenstoff (C) |
* Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) mit ca. 50 nm Kohlenstoff (C) beschichten. |
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* Glasobjektträger mit ca. 100 nm Kohlenstoff (C) beschichten. |
* Glasobjektträger mit ca. 100 nm Kohlenstoff (C) beschichten. |
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Revision as of 11:13, 17 July 2013
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Gerätebezeichnung: Sputteranlage UNIVEX 500
Geräteverantwortliche/Operateure: Uwe Köhler/ Birgit Hübner
Standort: Bau 309, Raum
Prüfmittel/Fertigungsnummer: SA 0818
Spezifikations-Nummer: SP-XXXX
Kurzbeschreibung
Die Anlage dient zum Kohlenstoff(C) - sputtern für Trennschichten.
Alternativen
Spezifikationen des Geräts
Prozessgas: Argon
Zum Belüften der Vakumanlage dient Stickstoff.
Etablierte Prozesse
- Si-Substrate (versehen mit 1% SiO2) mit ca. 50 nm Kohlenstoff (C) beschichten.
- Glasobjektträger mit ca. 100 nm Kohlenstoff (C) beschichten.
Einschränkungen
Eingewiesene Nutzer
Kategorie:Geräte - Devices
Kategorie:Fertigungsmittel - Manufacturing Equipment
