Resist: Difference between revisions

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Als '''Resist''' (auch: '''Fotolack''') wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des [[LIGA]]-Verfahrens.
Als '''Resist''' (auch: '''Fotolack''') wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des [[LIGA]]-Verfahrens.
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*Negativresist
*Negativresist


=Positivresist=
==Positivresist==
Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die '''belichteten''' Bereiche herausgelöst.
Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die '''belichteten''' Bereiche herausgelöst.


Einer der verbreitetsten Positivresiste ist [[PMMA]].
Einer der verbreitetsten Positivresiste ist [[PMMA]].


=Negativresist=
==Negativresist==
Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die '''unbelichteten''' Bereiche herausgelöst.
Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die '''unbelichteten''' Bereiche herausgelöst.


Einer der verbreitetsten Negativresist ist [[SU-8]].
Einer der verbreitetsten Negativresist ist [[SU-8]].



[[Kategorie:Herstellung - Fabrication]]
== Eigenschaften ==

- z.B. Chemische Zusammensetzung, wie liegt es üblicherweise vor, evtl. Preis, kurz- alles was euch sinnvoll und wichtig erscheint, auch mit Unterüberschriften

=== Gefahreneinstufung ===

== Am IMT ==

=== Verfügbarkeit ===

=== Geräte ===
* [[Spincoater]]

=== Prozesse ===
* [[LIGA]]

=== Ansprechpartner ===
* [[User:Heike.Fornasier|Heike Fornasier]]
* [[User:Alexandra.Karbacher|Alexandra Karbacher]]

=== Alternativen ===

==Links==
* [[:Category:Positivresist - positive resist|Positivresist]]
* [[:Category:Negativresist - negative resist|Negativresist]]

[[Category:Materialien - Materials]]

Latest revision as of 20:10, 19 November 2016

English Version

Als Resist (auch: Fotolack) wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des LIGA-Verfahrens.

Resiste werden nach ihrer Reaktion auf die Belichtung in zwei Gruppen eingeteilt:

  • Positivresist
  • Negativresist

Positivresist

Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die belichteten Bereiche herausgelöst.

Einer der verbreitetsten Positivresiste ist PMMA.

Negativresist

Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die unbelichteten Bereiche herausgelöst.

Einer der verbreitetsten Negativresist ist SU-8.


Eigenschaften

- z.B. Chemische Zusammensetzung, wie liegt es üblicherweise vor, evtl. Preis, kurz- alles was euch sinnvoll und wichtig erscheint, auch mit Unterüberschriften

Gefahreneinstufung

Am IMT

Verfügbarkeit

Geräte

Prozesse

Ansprechpartner

Alternativen

Links