Resist: Difference between revisions
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Als '''Resist''' (auch: '''Fotolack''') wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des [[LIGA]]-Verfahrens. |
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Resiste werden nach ihrer Reaktion auf die Belichtung in zwei Gruppen eingeteilt: |
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<!-- Tabelle mit für das jeweilige Material sinnvollen wichtigen Parametern füllen |
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*Positivresist |
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{| border="1" align="right" style="background-color:#ffffcc;" |
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*Negativresist |
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!Eigenschaft |
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!Wert |
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|Dichte |
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|70 kg/l |
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|Bauschkraft |
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|900 cuin |
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|Landé-Faktor |
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|42 |
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|} |
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==Positivresist== |
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== Hier Materialnamen einsetzen == |
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Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die '''belichteten''' Bereiche herausgelöst. |
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Falls ein Bild angezeigt werden soll, muss die entsprechende Datei erst |
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Einer der verbreitetsten Positivresiste ist [[PMMA]]. |
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Dies ermöglicht die Seitenleiste "werkzeuge -> Datei hochladen". |
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Bitte achtet auf Datei- und Bildgröße, ideal wäre <100kB und z.B. 120×160px |
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==Negativresist== |
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- Kurze Beschreibung, z.B. Photoresist, Formgedächtnispolymer/legierung, Lösungsmittel ... |
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Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die '''unbelichteten''' Bereiche herausgelöst. |
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Einer der verbreitetsten Negativresist ist [[SU-8]]. |
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- Besonderheiten |
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=== Geräte === |
=== Geräte === |
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* [[Spincoater]] |
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=== Prozesse === |
=== Prozesse === |
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* [[LIGA]] |
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=== Ansprechpartner === |
=== Ansprechpartner === |
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* [[Benutzer:Heike.Fornasier|Heike Fornasier]] |
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* [[Benutzer:Alexandra.Karbacher|Alexandra Karbacher]] |
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=== Alternativen === |
=== Alternativen === |
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<!-- z.B. Geräteveratwortlicher etc. falls nicht zutreffend, bitte |
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Überschrift entfernen --> |
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<!-- Optionale Einträge wie Veröffentlichungen und Vorträge andere |
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==Links== |
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Wunschthemen --> |
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* [[:Kategorie:Positivresist - positive resist|Positivresist]] |
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* [[:Kategorie:Negativresist - negative resist|Negativresist]] |
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<!-- Weitere Kategorien: FuEX, --> |
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[[Kategorie:Materialien - Materials]] |
[[Kategorie:Materialien - Materials]] |
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Revision as of 15:48, 5 March 2014
Als Resist (auch: Fotolack) wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des LIGA-Verfahrens.
Resiste werden nach ihrer Reaktion auf die Belichtung in zwei Gruppen eingeteilt:
- Positivresist
- Negativresist
Positivresist
Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die belichteten Bereiche herausgelöst.
Einer der verbreitetsten Positivresiste ist PMMA.
Negativresist
Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die unbelichteten Bereiche herausgelöst.
Einer der verbreitetsten Negativresist ist SU-8.
Eigenschaften
- z.B. Chemische Zusammensetzung, wie liegt es üblicherweise vor, evtl. Preis, kurz- alles was euch sinnvoll und wichtig erscheint, auch mit Unterüberschriften
