Resist

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Als Resist (auch: Fotolack) wird in der Regel ein lichtempfindliches Polymer bezeichnet, das zur fotolithografischen Strukturierung verwendet wird. Am IMT sind Resiste wesentlicher Bestandteil des LIGA-Verfahrens.

Resiste werden nach ihrer Reaktion auf die Belichtung in zwei Gruppen eingeteilt:

• Positivresist
• Negativresist

Positivresist

Bei Belichtung werden die Polymerketten aufgebrochen, der Resist wird löslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden so die belichteten Bereiche herausgelöst.

Einer der verbreitetsten Positivresiste ist PMMA.

Negativresist

Bei Belichtung setzt eine Vernetzung der Polymerketten ein, der Resist wird unlöslich. Im folgenden Entwicklungsschritt werden die unbelichteten Bereiche herausgelöst.

Einer der verbreitetsten Negativresist ist SU-8.