Elektronenstrahlschreiber VB6 UHR-EWF: Difference between revisions

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'''Gerätebezeichnung:''' Elektronenstrahlschreiber VB6 UHR-EWF
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'''Standort:''' Bau 301 Räume 107.8 - 107.10
'''Standort:''' Bau 301 Räume 107.8 - 107.10


'''Prüfmittel/Fertigungsnummer:''' BS 0249
'''Fertigungmittelnummer:''' BS 0249


'''Spezifikations-Nummer:''' SP-XXXX
'''Spezifikations-Nummer:''' SP280310.00




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== Alternativen ==
== Alternativen ==
* [[Laser-Lithographie-Anlage]]: nur für Strukturen >1 µm geeignet. Verschiedene Resiste: [[mr-X]], AZ
keine


== Spezifikationen des Geräts ==
== Spezifikationen des Geräts ==
* Beschleunigungsspannung: 100keV
* Beschleunigungsspannung: 100keV
* theoretische Auflösung ('''nicht kleinstes schreibbares Feature!'''): 1nm
* theoretische Auflösung: 0,5nm '''(Achtung: das ist die minimale BeamStepSize - <u>nicht</u> kleinstes schreibbares Feature!)'''
* kleinster Strahldurchmesser: 4nm
* kleinster Strahldurchmesser: 4nm


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== Einschränkungen ==
== Einschränkungen ==

* keine Substrate grösser 6"


== Eingewiesene Nutzer ==
== Eingewiesene Nutzer ==
[[Benutzer:Peter-Jürgen.Jakobs|Jakobs, Peter]]; [[Benutzer:Andreas.Bacher|Bacher, Andreas]]; [[Benutzer:Marie-Kristin.Nees|Nees, Marie-Kristin]]
[[User:Peter-Jürgen.Jakobs|Jakobs, Peter]]; [[User:Andreas.Bacher|Bacher, Andreas]]; [[User:Marie-Kristin.Nees|Nees, Marie-Kristin]]






[[Kategorie:Geräte - Devices]]
[[Category:Geräte - Devices]]
[[Kategorie:Fertigungsmittel - Manufacturing Equipment]]
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Latest revision as of 20:00, 19 November 2016

English Version


Seite noch im Aufbau!


Elektronenstrahlschreiber

Gerätebezeichnung: Elektronenstrahlschreiber VB6 UHR-EWF

Geräteverantwortliche/Operateure: Jakobs, Peter, Bacher, Andreas / Nees, Marie-Kristin

Standort: Bau 301 Räume 107.8 - 107.10

Fertigungmittelnummer: BS 0249

Spezifikations-Nummer: SP280310.00


Kurzbeschreibung

Alternativen

Spezifikationen des Geräts

  • Beschleunigungsspannung: 100keV
  • theoretische Auflösung: 0,5nm (Achtung: das ist die minimale BeamStepSize - nicht kleinstes schreibbares Feature!)
  • kleinster Strahldurchmesser: 4nm

Etablierte Prozesse

  • Strukturierung von PMMA 950k in unterschiedlichen Schichtdicken (aktuell zwischen 30nm und 3,2µm)

Einschränkungen

  • keine Substrate grösser 6"

Eingewiesene Nutzer

Jakobs, Peter; Bacher, Andreas; Nees, Marie-Kristin

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